Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 11

2N7002DW L6327

osa: 2853

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

osa: 174403

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

94-3449

osa: 2628

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7103Q

osa: 3052

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7309QTR

osa: 108112

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7343QTR

osa: 94872

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7303QTR

osa: 101171

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF9952Q

osa: 2919

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7379Q

osa: 2916

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7342Q

osa: 3348

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7341Q

osa: 2859

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7319Q

osa: 2903

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.5A, 4.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7313Q

osa: 2913

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7316Q

osa: 5424

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7304Q

osa: 2891

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7309Q

osa: 2875

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7303Q

osa: 2880

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7343Q

osa: 2791

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRFN8459TR

osa: 64112

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRFN8458TR

osa: 79588

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7341QTR

osa: 89718

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.1A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7319QTR

osa: 89679

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.5A, 4.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7316QTR

osa: 89739

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7342QTR

osa: 91383

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7313QTR

osa: 94924

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7304QTR

osa: 101244

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7379QTR

osa: 101249

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF7103QTR

osa: 121994

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

AUIRF9952QTR

osa: 125213

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSL308CH6327XTSA1

osa: 146163

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.3A, 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1

osa: 94888

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A, 30A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSO615NGHUMA1

osa: 20316

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSO330N02KGFUMA1

osa: 3005

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BTS7904SAKSA1

osa: 2985

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSO4804HUMA2

osa: 2904

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA,

Toivomuslista

Infineon Technologies

BSL806NL6327HTSA1

osa: 2870

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA,

Toivomuslista