Transistorit - IGBT-moduulit

FP25R12KT4B11BOSA1

osa: 353

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A,

FF300R12ME4BOSA1

osa: 50

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FF600R17KE3NOSA1

osa: 290

FP50R12KE3BOSA1

osa: 105

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FF800R17KF6CB2NOSA2

osa: 843

FZ750R65KE3NOSA1

osa: 3106

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 750A, Teho - maks: 14500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 750A,

FF225R17ME4B11BOSA1

osa: 392

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A,

FD1000R33HE3KBPSA1

osa: 755

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 11500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1000A,

FZ2400R17HP4B2BOSA2

osa: 255

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4800A, Teho - maks: 13000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2400A,

FF300R12ME4B11BPSA1

osa: 213

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FS100R12KT4GPB11BPSA1

osa: 777

FS25R12KT3BOSA1

osa: 367

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 145W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A,

FP15R12KT3BOSA1

osa: 390

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Teho - maks: 83.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A,

DF900R12IP4DBOSA1

osa: 404

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

DF1400R12IP4DBOSA1

osa: 382

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Teho - maks: 7700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1400A,

FS75R07N2E4B11BOSA1

osa: 298

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A,

FF600R12IS4FBOSA1

osa: 743

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 600A,

FS400R07A3E3H6BPSA1

osa: 268

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A,

DF900R12IP4DVBOSA1

osa: 333

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FF900R12IE4VPBOSA1

osa: 361

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A,

FF600R17KF6CB2NOSA1

osa: 648

FF650R17IE4DB2BOSA1

osa: 405

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 4150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A,

FF300R07ME4B11BOSA1

osa: 243

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 390A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 300A,

FD150R12RT4HOSA1

osa: 95

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 790W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FP25R12KT4B16BOSA1

osa: 386

FF600R12ME4B73BPSA1

osa: 241

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

FZ3600R17HP4B2BOSA2

osa: 276

FD800R17KE3B2NOSA1

osa: 355

FS50R12KE3BOSA1

osa: 131

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 270W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

DDB6U84N16RRBOSA1

osa: 100

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A,

FS200R07PE4BOSA1

osa: 160

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A,

FP15R12W1T4PBPSA1

osa: 190

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A,

FS300R17OE4BOSA1

osa: 370

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1850W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

F575R06KE3B5BOSA1

osa: 310

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

FF800R17KE3NOSA1

osa: 247

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 4450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A,

IRDM983-025MBTR

osa: 804