Transistorit - IGBT-moduulit

FP100R12KT4B11BOSA1

osa: 328

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

FF300R17ME4BOSA1

osa: 410

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 375A, Teho - maks: 1800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

FZ1200R33HE3BPSA1

osa: 707

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 13000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 1200A,

FP30R07U1E4BPSA1

osa: 831

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

FF200R12MT4BOMA1

osa: 797

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

F450R07W1H3B11ABOMA1

osa: 1955

FF45R12W1J1B11BPSA1

osa: 3131

FZ250R65KE3NPSA1

osa: 693

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 4800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 250A,

DF450R17N2E4PB11BPSA1

osa: 330

FF400R07A01E3S6XKSA2

osa: 300

FD401R17KF6C_B2

osa: 283

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 650A, Teho - maks: 3150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 400A,

FS100R17N3E4BOSA1

osa: 68

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

FF600R12ME4PB11BOSA1

osa: 155

FS50R07U1E4BPSA1

osa: 850

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 230W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A,

FZ1200R17KF6CB2NOSA1

osa: 740

FS400R07A3E3BOMA1

osa: 251

DF450R12N2E4PB11BPSA1

osa: 311

FD1600/1200R17KF6C_B2

osa: 207

FF450R12ME4PB11BOSA1

osa: 145

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

FF300R12KT3HOSA1

osa: 322

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 1450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FZ1500R33HE3BPSA1

osa: 800

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1500A, Teho - maks: 17000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1500A,

IFF300B17N2E4PB11BPSA1

osa: 338

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

FS100R07N2E4B11BOSA1

osa: 292

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A,

FD800R45KL3KB5NPSA1

osa: 784

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800A, Teho - maks: 9000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 800A,

IM240M6Y2BAKSA1

osa: 823

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Teho - maks: 8.9W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A,

IFS150B17N3E4PB11BPSA1

osa: 327

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 150A,

F3L300R12PT4PB26BOSA1

osa: 213

FF450R12ME4EB11BPSA1

osa: 96

DF400R07PE4R_B6

osa: 598

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A,

FS75R06KE3BOSA1

osa: 329

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

FD800R33KF2CNOSA1

osa: 762

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Teho - maks: 9600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 800A,

FF1200R12KE3NOSA1

osa: 287

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 5000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1200A,

FP40R12KE3GBOSA1

osa: 341

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A,

FS200T12A1T4BOSA1

osa: 799

FS200R12A1T4H5BOMA1

osa: 233

FD-DF80R12W1H3_B52

osa: 251

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 215W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,