Transistorit - IGBT-moduulit

FF600R12IP4VBOSA1

osa: 380

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A,

FF600R12IE4VBOSA1

osa: 412

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A,

F4250R17MP4B11BPSA1

osa: 364

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 370A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 250A,

FP25R12KT4BOSA1

osa: 379

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A,

FS75R07W2E3B11ABOMA1

osa: 1451

FF800R12KE3NOSA1

osa: 292

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 3900W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 800A,

FZ1600R12KF4S1NOSA1

osa: 862

FD500R65KE3KNOSA1

osa: 787

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 9600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 500A,

PSDC217E3730833NOSA1

osa: 833

FS400R07A1E3S7BOMA1

osa: 240

FF100R12RT4HOSA1

osa: 191

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 555W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

FP75R12KE3BOSA1

osa: 138

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

FS100R17N3E4PB11BPSA1

osa: 376

FS75R12KT4B11BOSA1

osa: 400

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 385W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FF1400R17IP4PBOSA1

osa: 360

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1400A,

DDB6U180N16RRB37BOSA1

osa: 303

FZ1600R12KL4CNOSA1

osa: 700

FS75R12KT4B15BOSA1

osa: 190

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 385W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FP100R06KE3_B16

osa: 649

FF600R17KE3B2NOSA1

osa: 277

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 4300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A,

FS150R07N3E4B11BOSA1

osa: 803

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A,

FZ1200R12KL4CNOSA1

osa: 701

FZ1800R17HE4B9HOSA2

osa: 240

Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1800A, Teho - maks: 11500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1800A,

FD16001200R17HP4B2BOSA2

osa: 272

Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 10500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A,

FF401R17KF6C_B2

osa: 196

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 650A, Teho - maks: 3150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 400A,

FZ1200R12KF5NDSA1

osa: 718

FS75R12KE3BOSA1

osa: 159

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FZ1800R17KE3B2NOSA1

osa: 712

FS100R07N3E4B11BOSA1

osa: 771

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A,

FS100R12KT4BOSA1

osa: 402

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

IFS100B12N3E4_B39

osa: 629

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

FF900R12IE4BOSA1

osa: 322

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FS200R07N3E4RB11BOSA1

osa: 399

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A,

FS75R07N2E4BOSA1

osa: 386

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A,

FP40R12KT3BOSA1

osa: 102

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A,

FF200R12KE4HOSA1

osa: 161

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,