Transistorit - IGBT-moduulit

FF300R06KE3B2HOSA1

osa: 347

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

FP35R12W2T4B11BOMA1

osa: 269

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Teho - maks: 215W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

FS150R06KE3BOSA1

osa: 180

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A,

FP25R12W2T4PBPSA1

osa: 125

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

FZ400R33KL2CB5NOSA1

osa: 5406

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 750A, Teho - maks: 4900W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 400A,

FS50R12KT3BOSA1

osa: 311

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FF450R12IE4BOSA2

osa: 386

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 2550W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 450A,

FS200R07N3E4RBOSA1

osa: 312

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 200A,

FS900R08A2P2B31BOSA1

osa: 128

FP25R12W2T4B11BOMA1

osa: 129

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 39A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

FF650R17IE4VBOSA1

osa: 376

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 4150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A,

FS150R12KT4BOSA1

osa: 323

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

FD400R07PE4RB6BOSA1

osa: 323

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A,

FF1400R12IP4PBOSA1

osa: 412

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Teho - maks: 1400000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1400A,

FS100R12KT4GBOSA1

osa: 314

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

FS400R12A2T4BOSA1

osa: 146

FS50R12U1T4BPSA1

osa: 865

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FZ1200R17HP4B2BOSA2

osa: 316

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 7800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1200A,

FF900R12IE4VBOSA1

osa: 375

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FS75R12KE3_B3

osa: 600

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FF650R17IE4DPB2BOSA1

osa: 343

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 650A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A,

DD800S45KL3B5NPSA1

osa: 671

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800A, Teho - maks: 1600W,

FF450R12ME4BOSA1

osa: 217

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 675A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

FS215R04A1E3DBOMA1

osa: 351

FP50R12KS4CBOSA1

osa: 337

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 360W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

FP75R07N2E4BOSA1

osa: 311

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A,

FP50R12N2T4B16BOSA1

osa: 378

FP30R06KE3BOSA1

osa: 308

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 37A, Teho - maks: 125W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

FS200R06KE3BOSA1

osa: 405

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

FS820R08A6P2BBPSA1

osa: 180

FP75R07N2E4B11BOSA1

osa: 782

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A,

FS50R12KT4PB11BPSA1

osa: 382

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FP50R12KT4PB11BPSA1

osa: 88

FF800R17KE3B2NOSA1

osa: 691

FF1200R17KE3NOSA1

osa: 232

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 595000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A,

FS75R17KE3BOSA1

osa: 316

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Teho - maks: 465W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A,