Transistorit - IGBT-moduulit

FP25R12KE3BOSA1

osa: 267

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 155W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A,

FP75R12N2T4BOSA1

osa: 372

FD800R17HP4KB2BOSA2

osa: 243

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800A, Teho - maks: 5200W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 800A,

FP10R12W1T4PB11BPSA1

osa: 204

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A,

FD250R65KE3KNOSA1

osa: 753

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 250A, Teho - maks: 4800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 250A,

FP40R12KE3BOSA1

osa: 389

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A,

FP75R12KT4B16BOSA1

osa: 398

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 385W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

FD1400R12IP4DBOSA1

osa: 330

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Teho - maks: 7700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1400A,

FP25R12W2T4PB11BPSA1

osa: 95

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

FF1000R17IE4PBOSA1

osa: 349

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 1000000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A,

FS200R12KT4RPBPSA1

osa: 831

FS450R17OE4BOSA1

osa: 358

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 630A, Teho - maks: 2400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A,

FP15R12W1T4PB11BPSA1

osa: 269

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A,

FD600R06ME3_B11_S2

osa: 234

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 600A,

FZ2400R17HE4B9HOSA2

osa: 343

Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2400A, Teho - maks: 15500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 2400A,

FT150R12KE3B5BOSA1

osa: 823

FD1200R17KE3KB2NOSA1

osa: 634

FD1000R33HL3KBPSA1

osa: 749

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 11500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A,

IFF2400P17LE4BPSA1

osa: 33

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V,

DF600R12N2E4PB11BPSA1

osa: 324

FS150R12KT4PBPSA1

osa: 822

FF600R12ME4PBOSA1

osa: 93

F3L400R12PT4PB26BOSA1

osa: 232

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 800A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

FF800R17KF6CB2NOSA1

osa: 805

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 6250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 800A,

FZ2400R17HP4B9HOSA2

osa: 290

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4800A, Teho - maks: 15500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2400A,

FD16001200R17HP4KB2BOSA1

osa: 299

Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1600A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A,

FZ3600R17HE4PHPSA1

osa: 3074

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3600A,

F4100R17ME4B11BPSA1

osa: 408

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 155A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

FF400R12KE3HOSA1

osa: 105

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 580A, Teho - maks: 2000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

FF900R12IP4VBOSA1

osa: 366

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 5100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FF1200R17KP4B2NOSA2

osa: 643

IFS200B12N3E4B31BPSA1

osa: 103

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

FS800R07A2E3IBPSA1

osa: 867

FZ2400R12HP4B9HOSA2

osa: 272

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3550A, Teho - maks: 13500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2400A,

FZ1500R33HL3BPSA1

osa: 778

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1500A, Teho - maks: 17000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1500A,

F4-50R07W2H3_B51

osa: 298