Transistorit - IGBT-moduulit

DF200R12W1H3FB11BPSA1

osa: 735

FS100R12KT4GB11BOSA1

osa: 363

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

FP150R12KT4PB11BPSA1

osa: 97

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

FF1800R17IP5BPSA1

osa: 647

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FZ1200R12KF5NOSA1

osa: 679

FS820R08A6P2LMBPSA1

osa: 154

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 820A,

FZ2400R17HP4B29BOSA2

osa: 3076

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4800A, Teho - maks: 15500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2400A,

FP100R12KT4BOSA1

osa: 141

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 515W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

FF300R17KE3HOSA1

osa: 98

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 1450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A,

FZ1600R17HP4B21BOSA2

osa: 307

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1600A, Teho - maks: 10500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1600A,

PSDC312E8427618NOSA1

osa: 872

FZ500R65KE3NOSA1

osa: 810

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 2000000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 500A,

FS35R12KE3GBOSA1

osa: 393

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 200W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 35A,

FF400R17KE4EHOSA1

osa: 132

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A,

FF225R17ME4BOSA1

osa: 421

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A,

FZ1200R45KL3B5NOSA1

osa: 843

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 13500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1200A,

IFF300B12N2E4PB11BPSA1

osa: 373

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FZ3600R17KE3B2NOSA1

osa: 784

IM240S6Y1BAKSA1

osa: 806

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Teho - maks: 8.4W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 2.5A,

FZ1800R17HP4B29BOSA2

osa: 256

FP50R12KT4B11BOSA1

osa: 352

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FS100R07N2E4BOSA1

osa: 359

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 335W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A,

FP75R17N3E4BPSA1

osa: 328

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125A, Teho - maks: 555W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

FT150R12KE3GB4BDLA1

osa: 317

Kokoonpano: 3 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FF600R17ME4B11BOSA1

osa: 344

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A,

FF600R07ME4B11BOSA1

osa: 278

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 700A, Teho - maks: 1800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 600A,

FS50R07N2E4B11BOSA1

osa: 826

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 190W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A,

FF600R12ME4EB11BOSA1

osa: 174

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 995A, Teho - maks: 4050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

FZ1200R33KF2CNOSA1

osa: 754

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2000A, Teho - maks: 14500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 1200A,

FF225R12ME4PBPSA1

osa: 172

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A,

FF200R06KE3HOSA1

osa: 376

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 260A, Teho - maks: 680W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

IFF600B12ME4PB11BPSA1

osa: 150

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 40W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

FP10R12W1T4PBPSA1

osa: 225

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A,

PSDC412E11228049NOSA1

osa: 799

FF600R12IE4PNOSA1

osa: 398

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A,

FZ3600R12HP4HOSA2

osa: 3126

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4930A, Teho - maks: 19000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 3600A,