Transistorit - IGBT-moduulit

FP40R12KT3GBOSA1

osa: 425

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 401A,

FF200R12KT3EHOSA1

osa: 434

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

FF300R12KE4PHOSA1

osa: 382

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FP35R12KT4BOSA1

osa: 414

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

IFS200V12PT4BOSA1

osa: 598

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

IFS75B12N3E4B31BOSA1

osa: 361

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 385W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FP10R12W1T4B3BOMA1

osa: 3106

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 105W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A,

FS200R12PT4BOSA1

osa: 475

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 280A, Teho - maks: 1000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

FB20R06W1E3B11HOMA1

osa: 377

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Teho - maks: 94W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

F3L300R12MT4PB22BPSA1

osa: 3078

FP35R12U1T4BPSA1

osa: 381

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

IFT150B12N3E4BOSA1

osa: 443

FF150R17KE4HOSA1

osa: 352

FS800R07A2E3IB31BPSA1

osa: 613

FF1800R12IE5BPSA1

osa: 653

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1800A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1800A,

FF150R12KE3GB2HOSA1

osa: 337

FF450R17IE4BOSA2

osa: 529

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 620A, Teho - maks: 2800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 450A,

IRG7T300CH12B

osa: 575

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 570A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A,

FS20R06W1E3B11BOMA1

osa: 367

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Teho - maks: 135W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

FF300R12KE4B2HOSA1

osa: 406

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FS75R12KS4BOSA1

osa: 423

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

FD300R12KS4HOSA1

osa: 428

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 370A, Teho - maks: 1950W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A,

FF600R12ME4CB11BOSA1

osa: 561

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1060A, Teho - maks: 4050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

F3L300R07PE4PBOSA1

osa: 335

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 280A,

FP15R12W1T4BOMA1

osa: 370

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A,

IFS100B17N3E4PB11BPSA1

osa: 447

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A,

FF1500R17IP5BPSA1

osa: 637

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1500A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1500A,

FD1200R17KE3KNOSA1

osa: 625

Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1600A, Teho - maks: 5950W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1200A,

FF150R12KE3GHOSA1

osa: 3075

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FF300R12KE4HOSA1

osa: 396

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

IRG5W50HF06A

osa: 339

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 260W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

F475R07W2H3B51BPSA1

osa: 337

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 37.5A,

IRG5K75HF12A

osa: 598

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 540W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A,

FD200R12KE3HOSA1

osa: 403

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

FF300R17KE3S4HOSA1

osa: 465

DF160R12W2H3FB11BPSA1

osa: 421

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A,