Transistorit - IGBT-moduulit

IRG5U300SD12B

osa: 314

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 2170W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 300A,

FS450R12KE4BOSA1

osa: 638

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 675A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

IRG5K150HF06A

osa: 589

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 270A, Teho - maks: 660W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

FS50R06YL4BOMA1

osa: 404

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Teho - maks: 202W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 50A,

FP15R06W1E3BOMA1

osa: 324

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Teho - maks: 81W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A,

FZ900R12KP4HOSA1

osa: 397

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A,

FS20R06W1E3BOMA1

osa: 335

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Teho - maks: 135W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

IRG5K15FF06Z

osa: 607

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 140W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

FP10R06W1E3B11BOMA1

osa: 324

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Teho - maks: 68W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A,

FF225R17ME4PB11BPSA1

osa: 398

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 225A,

FP20R06W1E3BOMA1

osa: 383

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27A, Teho - maks: 94W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A,

F3L100R12W2H3B11BPSA1

osa: 330

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 375W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A,

FP75R12KT4BOSA1

osa: 454

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 385W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

FD300R12KE3HOSA1

osa: 441

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 1470W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

DF400R12KE3HOSA1

osa: 446

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 580A, Teho - maks: 2000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

FF1400R17IP4BOSA1

osa: 638

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Teho - maks: 955000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1400A,

FS600R07A2E3B32BOSA1

osa: 143

IRG7T150CH12B

osa: 581

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 910W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

FF225R12ME4B11BPSA1

osa: 424

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 320A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A,

IRG7U100HF12B

osa: 3089

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 580W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A,

FF300R17ME4PBPSA1

osa: 472

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

FZ800R33KL2CNOSA1

osa: 628

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1500A, Teho - maks: 9800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 800A,

FZ1600R17HP4HOSA2

osa: 572

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1600A, Teho - maks: 10500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 1300A,

FS35R12W1T4B11BOMA1

osa: 3042

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 225W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A,

FZ600R17KE3S4HOSA1

osa: 3047

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 3150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A,

DDB2U30N08VRBOMA1

osa: 3077

Kokoonpano: 3 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 83.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 20A,

IRG7T200HF12B

osa: 640

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1060W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

FS15R06VL4B2BOMA1

osa: 3039

FF150R12YT3BOMA1

osa: 364

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 625W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FS15R06XE3BOMA1

osa: 344

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Teho - maks: 71.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A,

FF1800R12IE5PBPSA1

osa: 626

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1800A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1800A,

FF300R12KE4EHOSA1

osa: 3088

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 460A, Teho - maks: 1600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FP50R06W2E3B11BOMA1

osa: 397

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

FF450R12ME4B11BPSA1

osa: 432

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 675A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

F3L300R12MT4PB23BPSA1

osa: 506

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FS75R12KT3GBOSA1

osa: 410

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,