Transistorit - IGBT-moduulit

VS-GT180DA120U

osa: 758

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 281A, Teho - maks: 1087W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A,

VS-GB70LA60UF

osa: 3088

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 111A, Teho - maks: 447W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.44V @ 15V, 70A,

VS-GT105LA120UX

osa: 632

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 134A, Teho - maks: 463W,

CPV363M4F

osa: 427

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Teho - maks: 36W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.63V @ 15V, 16A,

VS-GT400TH120N

osa: 640

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2119W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

VS-50MT060WHTAPBF

osa: 1286

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 114A, Teho - maks: 658W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A,

IRG5U75HH06E

osa: 643

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 330W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A,

FP15R12W1T4B11BOMA1

osa: 3109

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A,

FP30R06YE3BOMA1

osa: 672

FP75R12KT3BOSA1

osa: 436

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 105A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FP25R12W2T4BOMA1

osa: 312

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 39A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

IRG5U75HF06A

osa: 638

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 330W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 75A,

FZ600R17KE3HOSA1

osa: 476

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 840A, Teho - maks: 3150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A,

IRG7T150HF12B

osa: 324

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 910W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

FZ1200R12HE4HOSA2

osa: 575

FF500R17KE4BOSA1

osa: 466

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A,

F3L25R12W1T4B27BOMA1

osa: 387

FS6R06VE3B2BOMA1

osa: 379

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Teho - maks: 40.5W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A,

FS450R17OE4PBOSA1

osa: 589

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A,

FP30R06YE3B4BOMA1

osa: 348

FF300R12KE3HOSA1

osa: 408

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 440A, Teho - maks: 1450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

CM150DX-24A

osa: 473

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 960W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A,

CM100MX-12A

osa: 546

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

CM100MXA-24S

osa: 581

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 750W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A,

CM600DU-24F

osa: 542

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 1540W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 600A,

CM200DY-24H

osa: 3089

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 200A,

CM75RX-24A

osa: 557

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A,

CM100DUS-12F

osa: 826

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 100A,

CM150DY-12NF

osa: 849

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 590W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

CP15TD1-24A

osa: 590

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Teho - maks: 113W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A,

CM400HA-34H

osa: 578

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 4100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A,

IXEN60N120D1

osa: 423

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 445W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A,

IXGN200N60B

osa: 491

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 120A,

VIO125-12P1

osa: 452

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 138A, Teho - maks: 568W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 125A,

FMS7G20US60S

osa: 387

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 89W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A,

STGE200NB60S

osa: 2624

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A,