Transistorit - IGBT-moduulit

DF650R17IE4BOSA1

osa: 588

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 930A, Teho - maks: 4150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A,

FS225R12KE3BOSA1

osa: 602

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 325A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @15V, 225A,

IRG5K75HF06A

osa: 654

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 330W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

FF200R12KE4PHOSA1

osa: 384

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

IRG5U50HH12E

osa: 638

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 50A,

FP50R12KT4GBOSA1

osa: 358

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A,

FZ400R12KS4HOSA1

osa: 444

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 510A, Teho - maks: 2500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A,

FZ800R12KS4B2NOSA1

osa: 580

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 7600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 800A,

FS800R07A2E3B32BOSA1

osa: 137

FP50R06W2E3BOMA1

osa: 348

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

F3L300R12ME4B23BOSA1

osa: 431

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1550W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FS450R12OE4BOSA1

osa: 557

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 660A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

FS50R06YE3BOMA1

osa: 407

Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Teho - maks: 160W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

IRG7T400SD12B

osa: 609

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 780A, Teho - maks: 2140W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

FD800R33KL2CKB5NOSA1

osa: 674

Kokoonpano: Dual Brake Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1500A, Teho - maks: 9800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 800A,

FZ800R33KL2CB5NOSA1

osa: 591

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1500A, Teho - maks: 9800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 800A,

IRG5K50HF06A

osa: 586

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 245W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

FP75R12KT4B11BOSA1

osa: 648

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 385W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FZ2400R17HE4PB9HPSA1

osa: 587

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 2400A,

CM600HU-12F

osa: 478

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 1420W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A,

CM100DY-24NF

osa: 719

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

CM75DU-12H

osa: 596

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 310W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A,

CM75DY-24H

osa: 603

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 75A,

CM300DY-24A

osa: 510

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 1890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 300A,

GA400TD25S

osa: 369

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A,

VS-GB75DA120UP

osa: 581

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Teho - maks: 658W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A,

VS-GT75NP120N

osa: 647

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 446W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.08V @ 15V, 75A (Typ),

MG12100S-BN2MM

osa: 1081

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A (Typ),

STGE50NC60VD

osa: 3052

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Teho - maks: 260W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A,

VKI50-12P1

osa: 461

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 49A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

MIAA10WE600TMH

osa: 2424

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Teho - maks: 70W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 10A,

MIXA10W1200TML

osa: 2441

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Teho - maks: 65W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 9A,

VID25-12P1

osa: 428

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A,

MIXA150R1200VA

osa: 1654

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 695W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

VDI50-06P1

osa: 3113

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 42.5A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A,

MIAA20WD600TMH

osa: 2148

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 29A, Teho - maks: 100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A,