Transistorit - IGBT-moduulit

CM100DU-24NFH

osa: 809

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 560W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6.5V @ 15V, 100A,

CM600DU-12NFH

osa: 301

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 1130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 600A,

CM50DY-24H

osa: 3135

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 50A,

CM50DY-28H

osa: 543

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 50A,

F3L400R07ME4B22BOSA1

osa: 469

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A,

FZ400R17KE3HOSA1

osa: 452

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 620A, Teho - maks: 2250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A,

FP20R06KL4BOMA1

osa: 332

FF600R12ME4B72BOSA1

osa: 473

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1200A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

FF100R12KS4HOSA1

osa: 347

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

FS150R17KE3GBOSA1

osa: 595

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A,

FB10R06KL4GB1BOMA1

osa: 318

FZ300R12KE3GHOSA1

osa: 403

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 1450W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 300A,

FZ600R12KE3HOSA1

osa: 470

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 900A, Teho - maks: 2800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A,

IRG5U400SD12B

osa: 655

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 400A,

FZ400R12KP4HOSA1

osa: 3047

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 2400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A,

IRG5K50HF12A

osa: 375

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A,

FF150R12RT4HOSA1

osa: 421

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 790W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A,

FD400R12KE3HOSA1

osa: 395

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 580A, Teho - maks: 2000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A,

IRG5U200SD12B

osa: 587

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 320A, Teho - maks: 1430W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 200A,

FS225R12OE4BOSA1

osa: 509

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 350A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A,

DF200R12W1H3B27BOMA1

osa: 340

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 375W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 30A,

FF225R12ME4BOSA1

osa: 418

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 320A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A,

FF400R06KE3HOSA1

osa: 453

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

FP10R06KL4BOMA1

osa: 320

IRG5U100HF12A

osa: 641

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 620W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A,

FS225R17KE3BOSA1

osa: 607

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Teho - maks: 1400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 225A,

MIXA150W1200TEH

osa: 520

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 695W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

VKI75-06P1

osa: 1350

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Full Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 69A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

VDI75-06P1

osa: 402

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 69A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

VII25-06P1

osa: 488

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24.5A, Teho - maks: 82W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 25A,

IXGN200N60A2

osa: 486

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A,

IXGN80N60A2D1

osa: 385

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Teho - maks: 625W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 80A,

VS-GA100TS60SF

osa: 662

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 220A, Teho - maks: 780W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.28V @ 15V, 100A,

VS-GB50LA120UX

osa: 3064

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 84A, Teho - maks: 431W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

FMG2G300US60

osa: 356

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Teho - maks: 892W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A,

FMS6G20US60S

osa: 388

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 89W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A,