Transistorit - IGBT-moduulit

FF450R17ME4BOSA1

osa: 499

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A,

FZ600R12KE4HOSA1

osa: 436

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 3000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

FS15R06XL4BOMA1

osa: 346

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 81W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A,

FF400R07KE4HOSA1

osa: 368

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Teho - maks: 1250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A,

DF1000R17IE4DB2BOSA1

osa: 615

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Teho - maks: 6250W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A,

FS75R12KE3GBOSA1

osa: 380

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 355W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FF300R17KE4PHOSA1

osa: 5360

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

FF300R12KS4PHOSA1

osa: 431

Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.75V @ 15V, 300A,

FS600R07A2E3B31BOSA1

osa: 214

FS75R07U1E4BPSA1

osa: 355

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 275W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A,

FS225R12KE4BOSA1

osa: 3054

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 320A, Teho - maks: 1100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A,

FP15R12YT3BOMA1

osa: 397

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Teho - maks: 110W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A,

FP30R06W1E3BOMA1

osa: 317

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 37A, Teho - maks: 115W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

FS30R06W1E3BOMA1

osa: 1088

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Teho - maks: 150W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

FF200R12KE3B2HOSA1

osa: 424

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 295A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A,

IRG5K300HF06B

osa: 624

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 480A, Teho - maks: 1200W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FS300R17KE4BOSA1

osa: 626

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 375A, Teho - maks: 1800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

VS-GB50NA120UX

osa: 3036

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 84A, Teho - maks: 431W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

VS-GB75LP120N

osa: 618

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Teho - maks: 658W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 75A (Typ),

VS-GB75YF120N

osa: 322

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 100A,

FMS7G20US60

osa: 372

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 89W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A,

VII75-06P1

osa: 476

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 69A, Teho - maks: 208W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 75A,

MIO1500-25E10

osa: 349

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single Switch, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1500A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 1500A,

VII100-06P1

osa: 457

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 93A, Teho - maks: 294W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A,

MIXA80WB1200TEH

osa: 696

IGBT-tyyppi: PT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Teho - maks: 390W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 77A,

MII400-12E4

osa: 397

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 420A, Teho - maks: 1700W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A,

MUBW20-06A6

osa: 458

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Teho - maks: 68W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A,

MWI300-17E9

osa: 196

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Three Phase, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500A, Teho - maks: 2200W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 300A,

CM200TU-12H

osa: 514

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Teho - maks: 650W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A,

CM600HU-24F

osa: 270

IGBT-tyyppi: Trench, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

CM600HA-12H

osa: 3104

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2100W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 600A,

CM100E3U-12H

osa: 500

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A,

CM75MX-12A

osa: 602

Kokoonpano: Three Phase Inverter with Brake, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

MG600J2YS61A

osa: 514

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 2770W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 600A,

CM100DU-34KA

osa: 461

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 890W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 100A,

STGE50NB60HD

osa: 427

Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,