Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - IGBT - Single
NGTD13T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD13T65F2SWK

osa: 43681

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

Toivomuslista
FGH40N65UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU

osa: 29738

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
FGA30T65SHD
ON Semiconductor

FGA30T65SHD

osa: 27345

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 238W,

Toivomuslista
HGTG30N60B3
ON Semiconductor

HGTG30N60B3

osa: 20902

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 208W,

Toivomuslista
FGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFDTU

osa: 22929

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
HGTG40N60B3
ON Semiconductor

HGTG40N60B3

osa: 8155

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 330A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
NGTG35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTG35N65FL2WG

osa: 23259

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivomuslista
FGH40N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU

osa: 23931

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
HGTG11N120CND
ON Semiconductor

HGTG11N120CND

osa: 21846

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A, Teho - maks: 298W,

Toivomuslista
FGD3245G2-F085
ON Semiconductor

FGD3245G2-F085

osa: 225

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
FGL35N120FTDTU
ON Semiconductor

FGL35N120FTDTU

osa: 7370

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 35A, Teho - maks: 368W,

Toivomuslista
FGAF40S65AQ
ON Semiconductor

FGAF40S65AQ

osa: 2371

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 94W,

Toivomuslista
FGH30S130P
ON Semiconductor

FGH30S130P

osa: 13155

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 500W,

Toivomuslista
FGH20N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH20N60SFDTU

osa: 36732

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 165W,

Toivomuslista
NGTB30N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N60L2WG

osa: 20768

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A, Teho - maks: 225W,

Toivomuslista
FGH50T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH50T65SQD-F155

osa: 5157

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 268W,

Toivomuslista
FGP20N60UFDTU
ON Semiconductor

FGP20N60UFDTU

osa: 26370

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 165W,

Toivomuslista
ISL9V2040D3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040D3ST

osa: 125426

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Teho - maks: 130W,

Toivomuslista
FGH40T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD-F155

osa: 2943

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 238W,

Toivomuslista
HGTG18N120BND
ON Semiconductor

HGTG18N120BND

osa: 10214

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Teho - maks: 390W,

Toivomuslista
HGTG20N60A4
ON Semiconductor

HGTG20N60A4

osa: 15335

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
NGTD23T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD23T120F2WP

osa: 24715

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A,

Toivomuslista
FGD3040G2-F085
ON Semiconductor

FGD3040G2-F085

osa: 254

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
FGA50N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGA50N100BNTDTU

osa: 21668

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 156W,

Toivomuslista
NGTB40N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL3WG

osa: 13060

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 454W,

Toivomuslista
FGH40T120SQDNL4
ON Semiconductor

FGH40T120SQDNL4

osa: 2822

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A, Teho - maks: 454W,

Toivomuslista
FGL40N120ANDTU
ON Semiconductor

FGL40N120ANDTU

osa: 10497

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 64A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 500W,

Toivomuslista
FGH60T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SHD-F155

osa: 4029

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Teho - maks: 349W,

Toivomuslista
FGD2736G3-F085
ON Semiconductor

FGD2736G3-F085

osa: 336

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4.5V, 10A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
NGTB30N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N65IHL2WG

osa: 22140

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivomuslista
HGTG40N60A4
ON Semiconductor

HGTG40N60A4

osa: 7030

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 625W,

Toivomuslista
NGTB45N60S2WG
ON Semiconductor

NGTB45N60S2WG

osa: 22667

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 45A, Teho - maks: 300W,

Toivomuslista
FGH75T65SQDNL4
ON Semiconductor

FGH75T65SQDNL4

osa: 2906

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 375W,

Toivomuslista
SGH40N60UFTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFTU

osa: 19790

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivomuslista
HGTP12N60C3D
ON Semiconductor

HGTP12N60C3D

osa: 30296

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 104W,

Toivomuslista
SGL50N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGL50N60RUFDTU

osa: 9347

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 250W,

Toivomuslista