Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - IGBT - Single
NGTB50N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N65FL2WG

osa: 14687

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 417W,

Toivomuslista
NGTB50N60FWG
ON Semiconductor

NGTB50N60FWG

osa: 11089

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 223W,

Toivomuslista
HGT1S10N120BNST
ON Semiconductor

HGT1S10N120BNST

osa: 31860

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Teho - maks: 298W,

Toivomuslista
NGTD14T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD14T65F2SWK

osa: 43676

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Toivomuslista
FGA25N120ANTDTU
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

osa: 13542

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Teho - maks: 312W,

Toivomuslista
FGH30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGH30N60LSDTU

osa: 7369

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 480W,

Toivomuslista
FGH75T65SHDTL4
ON Semiconductor

FGH75T65SHDTL4

osa: 12151

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 455W,

Toivomuslista
NGTD28T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD28T65F2SWK

osa: 20638

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

Toivomuslista
FGD3N60LSDTM
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM

osa: 144068

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, Teho - maks: 40W,

Toivomuslista
NGTB40N120L3WG
ON Semiconductor

NGTB40N120L3WG

osa: 12509

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 454W,

Toivomuslista
FGH75N60UFTU
ON Semiconductor

FGH75N60UFTU

osa: 10416

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A, Teho - maks: 452W,

Toivomuslista
FGH25N120FTDS
ON Semiconductor

FGH25N120FTDS

osa: 9325

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A, Teho - maks: 313W,

Toivomuslista
NGTB40N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N135IHRWG

osa: 17791

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 394W,

Toivomuslista
FGA15N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA15N120ANTDTU-F109

osa: 402

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 186W,

Toivomuslista
NGTD28T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD28T65F2WP

osa: 20854

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A,

Toivomuslista
FGH60N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU

osa: 22935

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 378W,

Toivomuslista
FGD3325G2-F085
ON Semiconductor

FGD3325G2-F085

osa: 256

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
NGTB15N60R2FG
ON Semiconductor

NGTB15N60R2FG

osa: 62700

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 54W,

Toivomuslista
NGTD17T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD17T65F2WP

osa: 37370

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Toivomuslista
NGTB40N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65FL2WG

osa: 18097

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 366W,

Toivomuslista
FGH60T65SQD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SQD-F155

osa: 2512

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Teho - maks: 333W,

Toivomuslista
FGA6560WDF
ON Semiconductor

FGA6560WDF

osa: 18136

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 306W,

Toivomuslista
FGH12040WD-F155
ON Semiconductor

FGH12040WD-F155

osa: 2672

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 428W,

Toivomuslista
FGH40T100SMD
ON Semiconductor

FGH40T100SMD

osa: 13786

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 333W,

Toivomuslista
FGA20S140P
ON Semiconductor

FGA20S140P

osa: 26339

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 272W,

Toivomuslista
FGA25N120ANTDTU-F109
ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU-F109

osa: 1477

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 50A, Teho - maks: 312W,

Toivomuslista
NGTB30N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHRWG

osa: 18543

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A, Teho - maks: 394W,

Toivomuslista
FGH30S150P
ON Semiconductor

FGH30S150P

osa: 11394

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 500W,

Toivomuslista
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

osa: 16438

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A, Teho - maks: 298W,

Toivomuslista
NGTB30N135IHR1WG
ON Semiconductor

NGTB30N135IHR1WG

osa: 14704

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 394W,

Toivomuslista
ISL9V2040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V2040S3ST

osa: 63148

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A, Teho - maks: 130W,

Toivomuslista
FGH30T65UPDT-F155
ON Semiconductor

FGH30T65UPDT-F155

osa: 2946

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivomuslista
FGH40N65UFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU-F085

osa: 2948

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
HGTG12N60A4D
ON Semiconductor

HGTG12N60A4D

osa: 27784

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivomuslista
NGTB40N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WAG

osa: 18131

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 536W,

Toivomuslista
FGL60N100BNTD
ON Semiconductor

FGL60N100BNTD

osa: 11528

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 180W,

Toivomuslista