Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - IGBT - Single
NGTB40N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHL2WG

osa: 15225

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 300W,

Toivomuslista
NGTD21T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD21T65F2WP

osa: 28668

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

Toivomuslista
FGA30S120P
ON Semiconductor

FGA30S120P

osa: 11061

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 348W,

Toivomuslista
NGTG20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

osa: 36618

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, Teho - maks: 64W,

Toivomuslista
FGI3236-F085
ON Semiconductor

FGI3236-F085

osa: 2622

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Teho - maks: 187W,

Toivomuslista
ISL9V3036S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3036S3ST

osa: 57552

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
NGTB40N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

osa: 7703

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 535W,

Toivomuslista
SGS10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGS10N60RUFDTU

osa: 30705

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 55W,

Toivomuslista
FGAF40N60SMD
ON Semiconductor

FGAF40N60SMD

osa: 15222

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 115W,

Toivomuslista
FGH40N60SMD
ON Semiconductor

FGH40N60SMD

osa: 22404

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivomuslista
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH25T120SMD-F155

osa: 1603

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 428W,

Toivomuslista
HGTG30N60C3D
ON Semiconductor

HGTG30N60C3D

osa: 10243

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 63A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 252A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Teho - maks: 208W,

Toivomuslista
NGTG25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG25N120FL2WG

osa: 20366

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 385W,

Toivomuslista
FGH15T120SMD-F155
ON Semiconductor

FGH15T120SMD-F155

osa: 2318

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 333W,

Toivomuslista
FGB3040CS
ON Semiconductor

FGB3040CS

osa: 33497

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
FGL12040WD
ON Semiconductor

FGL12040WD

osa: 12525

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 391W,

Toivomuslista
HGTP3N60A4
ON Semiconductor

HGTP3N60A4

osa: 56586

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A, Teho - maks: 70W,

Toivomuslista
FGB7N60UNDF
ON Semiconductor

FGB7N60UNDF

osa: 54229

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 7A, Teho - maks: 83W,

Toivomuslista
FGH50T65UPD
ON Semiconductor

FGH50T65UPD

osa: 13856

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A, Teho - maks: 340W,

Toivomuslista
FGP3040G2-F085
ON Semiconductor

FGP3040G2-F085

osa: 2590

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
NGTB40N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60L2WG

osa: 15833

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A, Teho - maks: 417W,

Toivomuslista
NGTB15N120FLWG
ON Semiconductor

NGTB15N120FLWG

osa: 17142

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 156W,

Toivomuslista
NGTG15N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTG15N120FL2WG

osa: 24869

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 294W,

Toivomuslista
HGTG12N60C3D
ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

osa: 11041

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 104W,

Toivomuslista
NGTB20N135IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N135IHRWG

osa: 14414

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1350V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A, Teho - maks: 394W,

Toivomuslista
FGP5N60LS
ON Semiconductor

FGP5N60LS

osa: 82176

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 36A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 12V, 14A, Teho - maks: 83W,

Toivomuslista
FGY40T120SMD
ON Semiconductor

FGY40T120SMD

osa: 8802

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 882W,

Toivomuslista
NGTD13T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD13T65F2WP

osa: 44207

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A,

Toivomuslista
NGTB25N120FL3WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL3WG

osa: 15023

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 349W,

Toivomuslista
NGTD23T120F2SWK
ON Semiconductor

NGTD23T120F2SWK

osa: 24513

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A,

Toivomuslista
NGTB30N120L2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120L2WG

osa: 9261

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Teho - maks: 534W,

Toivomuslista
FGH80N60FDTU
ON Semiconductor

FGH80N60FDTU

osa: 17028

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
NGTB40N65IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRWG

osa: 35282

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 405W,

Toivomuslista
FGH40N60SMD-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SMD-F085

osa: 2954

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivomuslista
FGH40T70SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T70SHD-F155

osa: 2540

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Teho - maks: 268W,

Toivomuslista
HGTG18N120BN
ON Semiconductor

HGTG18N120BN

osa: 11952

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 165A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A, Teho - maks: 390W,

Toivomuslista