Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - IGBT - Single
FGH40T65SPD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F155

osa: 21639

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 267W,

Toivomuslista
HGT1S20N60C3S9A
ON Semiconductor

HGT1S20N60C3S9A

osa: 28379

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 164W,

Toivomuslista
FGA120N30DTU
ON Semiconductor

FGA120N30DTU

osa: 6590

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
MGB15N40CLT4
ON Semiconductor

MGB15N40CLT4

osa: 6607

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 25A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
NGD8201NT4
ON Semiconductor

NGD8201NT4

osa: 6663

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 125W,

Toivomuslista
SGW10N60RUFDTM
ON Semiconductor

SGW10N60RUFDTM

osa: 6657

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 75W,

Toivomuslista
NGTB40N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB40N60FL2WG

osa: 18740

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 366W,

Toivomuslista
SGP6N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP6N60UFDTU

osa: 6631

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Teho - maks: 30W,

Toivomuslista
FGD3N60UNDF
ON Semiconductor

FGD3N60UNDF

osa: 191602

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 9A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.52V @ 15V, 3A, Teho - maks: 60W,

Toivomuslista
FGB5N60UNDF
ON Semiconductor

FGB5N60UNDF

osa: 65502

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 15A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A, Teho - maks: 73.5W,

Toivomuslista
SGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFDTU

osa: 6629

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivomuslista
SGH30N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH30N60RUFDTU

osa: 24034

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 30A, Teho - maks: 235W,

Toivomuslista
NGD15N41CLT4
ON Semiconductor

NGD15N41CLT4

osa: 6594

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Teho - maks: 107W,

Toivomuslista
FGH40N6S2D
ON Semiconductor

FGH40N6S2D

osa: 6580

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
SGR2N60UFDTF
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTF

osa: 6586

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2.4A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 10A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, Teho - maks: 25W,

Toivomuslista
FGH50N6S2
ON Semiconductor

FGH50N6S2

osa: 6596

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 463W,

Toivomuslista
NGB15N41CLT4
ON Semiconductor

NGB15N41CLT4

osa: 6619

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Teho - maks: 107W,

Toivomuslista
HGTG12N60A4
ON Semiconductor

HGTG12N60A4

osa: 6638

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivomuslista
NGB8207NT4G
ON Semiconductor

NGB8207NT4G

osa: 6633

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 365V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 4V, 20A, Teho - maks: 165W,

Toivomuslista
FGH75T65UPD-F085
ON Semiconductor

FGH75T65UPD-F085

osa: 6499

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Teho - maks: 375W,

Toivomuslista
NGTB25N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WAG

osa: 20398

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 385W,

Toivomuslista
FGPF70N30TTU
ON Semiconductor

FGPF70N30TTU

osa: 5753

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 49.2W,

Toivomuslista
FGH75T65SQDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SQDT-F155

osa: 6523

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 375W,

Toivomuslista
FGB20N6S2
ON Semiconductor

FGB20N6S2

osa: 6597

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Teho - maks: 125W,

Toivomuslista
SGU20N40LTU
ON Semiconductor

SGU20N40LTU

osa: 6633

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A, Teho - maks: 45W,

Toivomuslista
FGA6530WDF
ON Semiconductor

FGA6530WDF

osa: 31311

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 176W,

Toivomuslista
FGB40N6S2T
ON Semiconductor

FGB40N6S2T

osa: 6656

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
NGB8206NT4
ON Semiconductor

NGB8206NT4

osa: 6645

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
SGR6N60UFTM
ON Semiconductor

SGR6N60UFTM

osa: 5700

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 3A, Teho - maks: 30W,

Toivomuslista
FGA5065ADF
ON Semiconductor

FGA5065ADF

osa: 20873

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 268W,

Toivomuslista
FGH40T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SHD-F155

osa: 5732

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 268W,

Toivomuslista
NGP15N41CL
ON Semiconductor

NGP15N41CL

osa: 6595

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Teho - maks: 107W,

Toivomuslista
FGH40T65SH-F155
ON Semiconductor

FGH40T65SH-F155

osa: 6513

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 268W,

Toivomuslista
FGY100T65SCDT
ON Semiconductor

FGY100T65SCDT

osa: 6572

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A, Teho - maks: 750W,

Toivomuslista
FGA70N30TTU
ON Semiconductor

FGA70N30TTU

osa: 6635

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 201W,

Toivomuslista
SGF23N60UFTU
ON Semiconductor

SGF23N60UFTU

osa: 41664

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Teho - maks: 75W,

Toivomuslista