Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - IGBT - Single
NGTG30N60FWG
ON Semiconductor

NGTG30N60FWG

osa: 17306

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 167W,

Toivomuslista
NGTB05N60R2DT4G
ON Semiconductor

NGTB05N60R2DT4G

osa: 169827

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A, Teho - maks: 56W,

Toivomuslista
NGTB20N60L2TF1G
ON Semiconductor

NGTB20N60L2TF1G

osa: 33843

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A, Teho - maks: 64W,

Toivomuslista
NGTB30N60IHLWG
ON Semiconductor

NGTB30N60IHLWG

osa: 22110

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivomuslista
FGH40T65SQD_F155
ON Semiconductor

FGH40T65SQD_F155

osa: 6871

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 238W,

Toivomuslista
TIG074E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG074E8-TL-H

osa: 104319

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A,

Toivomuslista
FGD3N60LSDTM-T
ON Semiconductor

FGD3N60LSDTM-T

osa: 6852

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 10V, 3A, Teho - maks: 40W,

Toivomuslista
HGTP20N60A4
ON Semiconductor

HGTP20N60A4

osa: 36974

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
SGP10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGP10N60RUFDTU

osa: 74706

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 75W,

Toivomuslista
NGTB15N120IHWG
ON Semiconductor

NGTB15N120IHWG

osa: 6811

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A, Teho - maks: 278W,

Toivomuslista
NGP15N41CLG
ON Semiconductor

NGP15N41CLG

osa: 6854

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 4V, 10A, Teho - maks: 107W,

Toivomuslista
NGTG15N60S1EG
ON Semiconductor

NGTG15N60S1EG

osa: 51621

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Teho - maks: 117W,

Toivomuslista
NGTB75N60FL2WG
ON Semiconductor

NGTB75N60FL2WG

osa: 9734

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Teho - maks: 595W,

Toivomuslista
NGB8204NT4
ON Semiconductor

NGB8204NT4

osa: 6877

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Teho - maks: 115W,

Toivomuslista
FGA50N60LS
ON Semiconductor

FGA50N60LS

osa: 6865

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 240W,

Toivomuslista
SGP23N60UFDTU
ON Semiconductor

SGP23N60UFDTU

osa: 74718

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 92A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivomuslista
NGTB30N120LWG
ON Semiconductor

NGTB30N120LWG

osa: 6791

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 560W,

Toivomuslista
FGH80N60FD2TU
ON Semiconductor

FGH80N60FD2TU

osa: 15656

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
FGD4536TM_SN00306
ON Semiconductor

FGD4536TM_SN00306

osa: 6801

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 125W,

Toivomuslista
SGL160N60UFDTU
ON Semiconductor

SGL160N60UFDTU

osa: 8114

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 80A, Teho - maks: 250W,

Toivomuslista
ISL9V5036P3-F085
ON Semiconductor

ISL9V5036P3-F085

osa: 5905

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 46A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Teho - maks: 250W,

Toivomuslista
NGTB50N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB50N120FL2WG

osa: 7494

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 535W,

Toivomuslista
FGD4536TM
ON Semiconductor

FGD4536TM

osa: 6793

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 125W,

Toivomuslista
NGTB50N65S1WG
ON Semiconductor

NGTB50N65S1WG

osa: 30688

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 140A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Teho - maks: 300W,

Toivomuslista
NGTB30N60FWG
ON Semiconductor

NGTB30N60FWG

osa: 5739

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 167W,

Toivomuslista
NGB8202NT4G
ON Semiconductor

NGB8202NT4G

osa: 6729

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
FGA70N30TDTU
ON Semiconductor

FGA70N30TDTU

osa: 6666

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 201W,

Toivomuslista
FGD2N40L
ON Semiconductor

FGD2N40L

osa: 6663

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 29A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 2.4V, 2.5A, Teho - maks: 29W,

Toivomuslista
HGT1S20N35G3VLS
ON Semiconductor

HGT1S20N35G3VLS

osa: 5739

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 375V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
HGTG12N60B3
ON Semiconductor

HGTG12N60B3

osa: 5662

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 104W,

Toivomuslista
NGD18N40CLBT4
ON Semiconductor

NGD18N40CLBT4

osa: 6608

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 4V, 15A, Teho - maks: 115W,

Toivomuslista
HGTG7N60A4
ON Semiconductor

HGTG7N60A4

osa: 6602

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Teho - maks: 125W,

Toivomuslista
SGL40N150DTU
ON Semiconductor

SGL40N150DTU

osa: 6629

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 200W,

Toivomuslista
SGR2N60UFDTM
ON Semiconductor

SGR2N60UFDTM

osa: 6576

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2.4A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 10A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A, Teho - maks: 25W,

Toivomuslista
FGD5T120SH
ON Semiconductor

FGD5T120SH

osa: 144045

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12.5A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 5A, Teho - maks: 69W,

Toivomuslista
FGL60N100BNTDTU
ON Semiconductor

FGL60N100BNTDTU

osa: 21621

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 180W,

Toivomuslista