Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - vaihteleva kapasitanssi (Varicaps, Varact

  • Koti
  •  
  • Diodit - vaihteleva kapasitanssi (Varicaps, Varact
SVC203C-TB-E
ON Semiconductor

SVC203C-TB-E

osa: 178025

Kapasitanssi @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 4.6, Kapasitanssisuhde: C1/C9, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 16V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,

Toivomuslista
MMBV109LT3G
ON Semiconductor

MMBV109LT3G

osa: 7476

Kapasitanssi @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 6.5, Kapasitanssisuhde: C3/C25, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV409LT1
ON Semiconductor

MMBV409LT1

osa: 4762

Kapasitanssi @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 1.9, Kapasitanssisuhde: C3/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 20V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV3102LT1
ON Semiconductor

MMBV3102LT1

osa: 7497

Kapasitanssi @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 4.8, Kapasitanssisuhde: C3/C25, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV809LT3G
ON Semiconductor

MMBV809LT3G

osa: 7496

Kapasitanssi @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 2.6, Kapasitanssisuhde: C2/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 20V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Toivomuslista
MV104G
ON Semiconductor

MV104G

osa: 7467

Kapasitanssi @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 2.8, Kapasitanssisuhde: C3/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 32V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

Toivomuslista
MMBV105GLT1G
ON Semiconductor

MMBV105GLT1G

osa: 7457

Kapasitanssi @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 6.5, Kapasitanssisuhde: C3/C25, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV2108LT1G
ON Semiconductor

MMBV2108LT1G

osa: 7478

Kapasitanssi @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV409LT1G
ON Semiconductor

MMBV409LT1G

osa: 7505

Kapasitanssi @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 1.9, Kapasitanssisuhde: C3/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 20V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV2105LT1
ON Semiconductor

MMBV2105LT1

osa: 7497

Kapasitanssi @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MV209G
ON Semiconductor

MV209G

osa: 7434

Kapasitanssi @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 6.5, Kapasitanssisuhde: C3/C25, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
SVC236-TB-E
ON Semiconductor

SVC236-TB-E

osa: 172795

Kapasitanssi @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 5, Kapasitanssisuhde: C1/C6.5, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 16V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,

Toivomuslista
MMBV105GLT1
ON Semiconductor

MMBV105GLT1

osa: 7466

Kapasitanssi @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 6.5, Kapasitanssisuhde: C3/C25, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MV2105
ON Semiconductor

MV2105

osa: 4830

Kapasitanssi @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
SVC230-TB-E
ON Semiconductor

SVC230-TB-E

osa: 129142

Kapasitanssi @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 1.75, Kapasitanssisuhde: C2/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 16V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

Toivomuslista
MV2101
ON Semiconductor

MV2101

osa: 7532

Kapasitanssi @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMVL109T1G
ON Semiconductor

MMVL109T1G

osa: 7529

Kapasitanssi @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 6.5, Kapasitanssisuhde: C3/C25, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV2105LT1G
ON Semiconductor

MMBV2105LT1G

osa: 7480

Kapasitanssi @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMVL809T1G
ON Semiconductor

MMVL809T1G

osa: 7476

Kapasitanssi @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 2.6, Kapasitanssisuhde: C2/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 20V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Toivomuslista
MMBV2108LT1
ON Semiconductor

MMBV2108LT1

osa: 7527

Kapasitanssi @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
SVC270-TL-E
ON Semiconductor

SVC270-TL-E

osa: 119447

Kapasitanssi @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 1.75, Kapasitanssisuhde: C2/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 16V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

Toivomuslista
SVC272-TL-E
ON Semiconductor

SVC272-TL-E

osa: 157486

Kapasitanssi @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 2.3, Kapasitanssisuhde: C2/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 16V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

Toivomuslista
SVC383T-TL-E
ON Semiconductor

SVC383T-TL-E

osa: 7528

Kapasitanssi @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 24.5, Kapasitanssisuhde: C1/C6.5, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 33V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,

Toivomuslista
MMBV109LT1G
ON Semiconductor

MMBV109LT1G

osa: 7474

Kapasitanssi @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 6.5, Kapasitanssisuhde: C3/C25, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV2109LT1
ON Semiconductor

MMBV2109LT1

osa: 7496

Kapasitanssi @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV609LT1
ON Semiconductor

MMBV609LT1

osa: 7446

Kapasitanssi @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 2.4, Kapasitanssisuhde: C3/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 20V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV432LT1
ON Semiconductor

MMBV432LT1

osa: 7461

Kapasitanssi @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 2, Kapasitanssisuhde: C2/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 14V, Diodityyppi: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

Toivomuslista
MMBV2109LT1G
ON Semiconductor

MMBV2109LT1G

osa: 7468

Kapasitanssi @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MV2109G
ON Semiconductor

MV2109G

osa: 7495

Kapasitanssi @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMVL2101T1G
ON Semiconductor

MMVL2101T1G

osa: 7502

Kapasitanssi @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV2101LT1G
ON Semiconductor

MMBV2101LT1G

osa: 7426

Kapasitanssi @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV2107LT1
ON Semiconductor

MMBV2107LT1

osa: 4758

Kapasitanssi @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV109LT3
ON Semiconductor

MMBV109LT3

osa: 7449

Kapasitanssi @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 6.5, Kapasitanssisuhde: C3/C25, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

Toivomuslista
MV2109RLRAG
ON Semiconductor

MV2109RLRAG

osa: 7459

Kapasitanssi @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista
MMBV809LT1
ON Semiconductor

MMBV809LT1

osa: 7482

Kapasitanssi @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 2.6, Kapasitanssisuhde: C2/C8, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 20V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

Toivomuslista
MMBV2107LT1G
ON Semiconductor

MMBV2107LT1G

osa: 7528

Kapasitanssi @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, Kapasitanssisuhde: 3.2, Kapasitanssisuhde: C2/C30, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Diodityyppi: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

Toivomuslista