Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

  • Koti
  •  
  • Transistorit - IGBT - Single
FGA6540WDF
ON Semiconductor

FGA6540WDF

osa: 25417

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Teho - maks: 238W,

Toivomuslista
NGTB40N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB40N120IHRWG

osa: 14109

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 40A, Teho - maks: 384W,

Toivomuslista
HGTG5N120BND
ON Semiconductor

HGTG5N120BND

osa: 23888

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, Teho - maks: 167W,

Toivomuslista
FGH50N3
ON Semiconductor

FGH50N3

osa: 11903

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 463W,

Toivomuslista
FGP10N60UNDF
ON Semiconductor

FGP10N60UNDF

osa: 36448

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, Teho - maks: 139W,

Toivomuslista
NGTB35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB35N65FL2WG

osa: 33687

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Teho - maks: 300W,

Toivomuslista
FGAF40N60UFTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFTU

osa: 35991

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 100W,

Toivomuslista
ISL9V5045S3ST
ON Semiconductor

ISL9V5045S3ST

osa: 36869

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 480V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 51A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 10A, Teho - maks: 300W,

Toivomuslista
FGH40T65UQDF-F155
ON Semiconductor

FGH40T65UQDF-F155

osa: 2159

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.67V @ 15V, 40A, Teho - maks: 231W,

Toivomuslista
FGB3440G2-F085
ON Semiconductor

FGB3440G2-F085

osa: 4330

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 26.9A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.2V @ 4V, 6A, Teho - maks: 166W,

Toivomuslista
HGTG20N60A4D
ON Semiconductor

HGTG20N60A4D

osa: 14369

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
FGH40N60SFDTU-F085
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU-F085

osa: 2934

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
FGA50N100BNTD2
ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

osa: 8702

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 156W,

Toivomuslista
FGB3236-F085
ON Semiconductor

FGB3236-F085

osa: 349

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Teho - maks: 187W,

Toivomuslista
FGAF40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFDTU

osa: 19234

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 100W,

Toivomuslista
NGTB50N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60L2WG

osa: 9959

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Teho - maks: 500W,

Toivomuslista
FGB3245G2-F085
ON Semiconductor

FGB3245G2-F085

osa: 305

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 23A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
NGTD20T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD20T120F2WP

osa: 31770

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A,

Toivomuslista
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

osa: 49912

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 88A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A, Teho - maks: 54W,

Toivomuslista
FGH40N120ANTU
ON Semiconductor

FGH40N120ANTU

osa: 13888

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 64A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 417W,

Toivomuslista
NGTB20N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHRWG

osa: 15535

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A, Teho - maks: 384W,

Toivomuslista
FGY75N60SMD
ON Semiconductor

FGY75N60SMD

osa: 11749

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A, Teho - maks: 750W,

Toivomuslista
NGTD17T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD17T65F2SWK

osa: 36619

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A,

Toivomuslista
FGB20N60SF
ON Semiconductor

FGB20N60SF

osa: 45142

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 208W,

Toivomuslista
HGTP12N60A4D
ON Semiconductor

HGTP12N60A4D

osa: 43378

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivomuslista
FGP15N60UNDF
ON Semiconductor

FGP15N60UNDF

osa: 27550

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A, Teho - maks: 178W,

Toivomuslista
NGTB30N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N120FL2WG

osa: 9534

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 452W,

Toivomuslista
FGH40N60SFTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFTU

osa: 16170

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
ISL9V3040S3ST
ON Semiconductor

ISL9V3040S3ST

osa: 58672

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A, Teho - maks: 150W,

Toivomuslista
FGA40N65SMD
ON Semiconductor

FGA40N65SMD

osa: 32540

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivomuslista
FGH50N6S2D
ON Semiconductor

FGH50N6S2D

osa: 8377

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 463W,

Toivomuslista
HGTG27N120BN
ON Semiconductor

HGTG27N120BN

osa: 15836

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 72A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 216A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A, Teho - maks: 500W,

Toivomuslista
NGTB30N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N120IHRWG

osa: 20044

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 384W,

Toivomuslista
HGTG10N120BND
ON Semiconductor

HGTG10N120BND

osa: 19849

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Teho - maks: 298W,

Toivomuslista
FGH40N60UFTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFTU

osa: 32584

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 290W,

Toivomuslista
FGA50T65SHD
ON Semiconductor

FGA50T65SHD

osa: 20124

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 319W,

Toivomuslista