Transistorit - IGBT-moduulit

FP50R12KT4BOSA1

osa: 350

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 280W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

DF80R12W2H3FB11BPSA1

osa: 395

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A,

F3L100R07W2E3B11BOMA1

osa: 362

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 117A, Teho - maks: 300W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

IM240M6Z1BALSA1

osa: 376

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Teho - maks: 8.9W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 4A,

F3L300R12MT4B22BOSA1

osa: 503

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Teho - maks: 1550W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

FS15R12VT3BOMA1

osa: 348

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Teho - maks: 86W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A,

FP10R12W1T4B29BOMA1

osa: 338

F4150R06KL4BOSA1

osa: 383

Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 180A, Teho - maks: 570W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 150A,

FS3L30R07W2H3FB11BPSA2

osa: 418

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

FF200R12KS4HOSA1

osa: 394

Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 275A, Teho - maks: 1400W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 200A,

FP15R12W1T4B3BOMA1

osa: 361

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Teho - maks: 130W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A,

FS500R17OE4DPBOSA1

osa: 569

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1000A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 500A,

FS3L50R07W2H3FB11BPSA1

osa: 334

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A,

IRG5K200HF06B

osa: 649

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Teho - maks: 800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

FZ2400R17KF6CB2S1NDSA1

osa: 344

FS100R12KT3BOSA1

osa: 3111

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Teho - maks: 480W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A,

FB10R06KL4BOMA1

osa: 317

F3L200R12W2H3B11BPSA1

osa: 387

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Teho - maks: 600W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 100A,

DDB6U134N16RRBOSA1

osa: 3122

IGBT-tyyppi: NPT, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 70A,

FF1400R12IP4BOSA1

osa: 629

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1400A, Teho - maks: 765000W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1400A,

FB10R06KL4GBOMA1

osa: 3089

FP75R12KT4B15BOSA1

osa: 458

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Teho - maks: 385W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FF300R12ME4PB11BPSA1

osa: 411

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A,

IRG5K200HF06A

osa: 578

Kokoonpano: Half Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 340A, Teho - maks: 800W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

FP75R12KT4PBPSA1

osa: 435

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Teho - maks: 20mW, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A,

FP30R06W1E3B11BOMA1

osa: 377

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 37A, Teho - maks: 115W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A,

FF450R12ME4PBOSA1

osa: 425

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 450A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A,

FF150R17ME3GBOSA1

osa: 413

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: 2 Independent, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Teho - maks: 1050W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A,

FD300R06KE3HOSA1

osa: 417

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Single, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 940W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

FF600R12ME4CPB11BPSA1

osa: 521

DDB6U100N16RRBOSA1

osa: 388

Kokoonpano: Single Chopper, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Teho - maks: 350W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A,

FS25R12W1T4B11BOMA1

osa: 357

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Teho - maks: 205W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 25A,

FS50R06W1E3B11BOMA1

osa: 396

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Teho - maks: 205W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

FS3L25R12W2H3B11BPSA1

osa: 421

Kokoonpano: Three Level Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Teho - maks: 175W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

IRG7T15FF12Z

osa: 620

Kokoonpano: Three Phase Inverter, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Teho - maks: 210W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A,

FS400R12A2T4IBPSA1

osa: 5395

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Kokoonpano: Full Bridge, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 400A, Teho - maks: 1500W, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 300A,