Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGP2N100A
IXYS

IXGP2N100A

osa: 24872

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 8A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 2A, Teho - maks: 25W,

Toivelistaan
IXGH50N60C2
IXYS

IXGH50N60C2

osa: 6690

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 400W,

Toivelistaan
IXGX28N140B3H1
IXYS

IXGX28N140B3H1

osa: 9762

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 28A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGX12N90C
IXYS

IXGX12N90C

osa: 14517

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGJ40N60C2D1
IXYS

IXGJ40N60C2D1

osa: 6681

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXSH40N60B
IXYS

IXSH40N60B

osa: 6712

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 280W,

Toivelistaan
IXGH28N140B3H1
IXYS

IXGH28N140B3H1

osa: 9798

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 28A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXER35N120D1
IXYS

IXER35N120D1

osa: 6592

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 35A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGT50N60B2
IXYS

IXGT50N60B2

osa: 6651

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 400W,

Toivelistaan
IXGH60N60
IXYS

IXGH60N60

osa: 6548

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXSH15N120BD1
IXYS

IXSH15N120BD1

osa: 5680

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGH20N100
IXYS

IXGH20N100

osa: 11427

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
NGTB75N60SWG
ON Semiconductor

NGTB75N60SWG

osa: 15095

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Teho - maks: 595W,

Toivelistaan
SGR20N40LTM
ON Semiconductor

SGR20N40LTM

osa: 6669

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
NGTB50N60SWG
ON Semiconductor

NGTB50N60SWG

osa: 17923

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A,

Toivelistaan
FGH75T65UPD-F155
ON Semiconductor

FGH75T65UPD-F155

osa: 6545

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
SGH10N60RUFDTU
ON Semiconductor

SGH10N60RUFDTU

osa: 26397

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 10A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
MGP15N40CL
ON Semiconductor

MGP15N40CL

osa: 6624

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 25A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
SGH15N60RUFTU
ON Semiconductor

SGH15N60RUFTU

osa: 6609

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 15A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
FGB30N6S2DT
ON Semiconductor

FGB30N6S2DT

osa: 6629

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 108A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
STGP3NB60F
STMicroelectronics

STGP3NB60F

osa: 6576

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A, Teho - maks: 68W,

Toivelistaan
STGD6M65DF2
STMicroelectronics

STGD6M65DF2

osa: 146602

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Teho - maks: 88W,

Toivelistaan
STGD10NC60HDT4
STMicroelectronics

STGD10NC60HDT4

osa: 5660

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Teho - maks: 62W,

Toivelistaan
IRGBC30FD2
Infineon Technologies

IRGBC30FD2

osa: 6569

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4PH40KPBF
Infineon Technologies

IRG4PH40KPBF

osa: 18647

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4RC10KTR
Infineon Technologies

IRG4RC10KTR

osa: 6573

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 9A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRG4BC20MD-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20MD-SPBF

osa: 6613

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 36A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 11A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4P254S
Infineon Technologies

IRG4P254S

osa: 6567

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 98A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 196A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 55A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
SKP02N120XKSA1
Infineon Technologies

SKP02N120XKSA1

osa: 55458

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6.2A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 9.6A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A, Teho - maks: 62W,

Toivelistaan
IRG4BC30K
Infineon Technologies

IRG4BC30K

osa: 6544

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 58A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4PC30K
Infineon Technologies

IRG4PC30K

osa: 6573

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 58A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IGW50N65F5AXKSA1
Infineon Technologies

IGW50N65F5AXKSA1

osa: 15265

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Teho - maks: 270W,

Toivelistaan
IRG4BAC50W-S
Infineon Technologies

IRG4BAC50W-S

osa: 6584

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRG4BC20UD-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC20UD-SPBF

osa: 30612

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IKW20N60TAFKSA1
Infineon Technologies

IKW20N60TAFKSA1

osa: 21151

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A, Teho - maks: 166W,

Toivelistaan
IKB40N65EH5ATMA1
Infineon Technologies

IKB40N65EH5ATMA1

osa: 6517

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan