Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGH12N100
IXYS

IXGH12N100

osa: 15096

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXSA15N120B
IXYS

IXSA15N120B

osa: 6653

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXSK30N60CD1
IXYS

IXSK30N60CD1

osa: 6640

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGH32N60B
IXYS

IXGH32N60B

osa: 6531

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGA20N120B
IXYS

IXGA20N120B

osa: 10778

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXSH10N60B2D1
IXYS

IXSH10N60B2D1

osa: 6593

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGH32N60CD1
IXYS

IXGH32N60CD1

osa: 6609

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRG4BC20K-S
Infineon Technologies

IRG4BC20K-S

osa: 6596

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 32A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC30S
Infineon Technologies

IRG4BC30S

osa: 6564

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 68A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
SGB07N120ATMA1
Infineon Technologies

SGB07N120ATMA1

osa: 44720

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16.5A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 27A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
SGW30N60FKSA1
Infineon Technologies

SGW30N60FKSA1

osa: 19325

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 41A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 112A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRGBC40S
Infineon Technologies

IRGBC40S

osa: 6600

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 31A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRGC4263B
Infineon Technologies

IRGC4263B

osa: 20710

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A,

Toivelistaan
IRG4PSH71U
Infineon Technologies

IRG4PSH71U

osa: 6612

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 99A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IRG4BC10KDPBF
Infineon Technologies

IRG4BC10KDPBF

osa: 73895

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 9A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.62V @ 15V, 5A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRGPC40UD2
Infineon Technologies

IRGPC40UD2

osa: 5662

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IRG4BC20KD-S
Infineon Technologies

IRG4BC20KD-S

osa: 6544

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 32A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC10S
Infineon Technologies

IRG4BC10S

osa: 6529

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRG4BC20W-S
Infineon Technologies

IRG4BC20W-S

osa: 6534

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
IRG4BC10SD-S
Infineon Technologies

IRG4BC10SD-S

osa: 6581

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A, Teho - maks: 38W,

Toivelistaan
IRGBC30S
Infineon Technologies

IRGBC30S

osa: 6516

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 18A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRG4PH30K
Infineon Technologies

IRG4PH30K

osa: 6529

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
STGD20N45LZAG
STMicroelectronics

STGD20N45LZAG

osa: 6493

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 450V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
STGD3NB60SD-1
STMicroelectronics

STGD3NB60SD-1

osa: 6708

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A, Teho - maks: 48W,

Toivelistaan
STGD19N40LZ
STMicroelectronics

STGD19N40LZ

osa: 75238

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 390V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 4.5V, 10A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
STGP6NC60H
STMicroelectronics

STGP6NC60H

osa: 6648

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A, Teho - maks: 56W,

Toivelistaan
STGD7NB60ST4
STMicroelectronics

STGD7NB60ST4

osa: 110294

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 7A, Teho - maks: 55W,

Toivelistaan
STGD14NC60KT4
STMicroelectronics

STGD14NC60KT4

osa: 105414

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A, Teho - maks: 80W,

Toivelistaan
FGH75T65UPD-F085
ON Semiconductor

FGH75T65UPD-F085

osa: 6499

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
NGTB25N120FL2WAG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WAG

osa: 20398

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 385W,

Toivelistaan
FGPF70N30TTU
ON Semiconductor

FGPF70N30TTU

osa: 5753

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 49.2W,

Toivelistaan
FGH75T65SQDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SQDT-F155

osa: 6523

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
FGB20N6S2
ON Semiconductor

FGB20N6S2

osa: 6597

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
SGU20N40LTU
ON Semiconductor

SGU20N40LTU

osa: 6633

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 4.5V, 150A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
FGA6530WDF
ON Semiconductor

FGA6530WDF

osa: 31311

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 176W,

Toivelistaan
GPA020A120MN-FD
Global Power Technologies Group

GPA020A120MN-FD

osa: 45939

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 223W,

Toivelistaan