Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IRGR2B60KDTRPBF
Infineon Technologies

IRGR2B60KDTRPBF

osa: 137439

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6.3A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 8A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2A, Teho - maks: 35W,

Toivelistaan
IHW30N90R
Infineon Technologies

IHW30N90R

osa: 6693

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 454W,

Toivelistaan
IKD06N60R
Infineon Technologies

IKD06N60R

osa: 5676

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 12A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGR4610DTRRPBF
Infineon Technologies

IRGR4610DTRRPBF

osa: 6758

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Teho - maks: 77W,

Toivelistaan
IRGP4263D1-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4263D1-EPBF

osa: 5769

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 192A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 48A, Teho - maks: 325W,

Toivelistaan
SIGC57T120R3LEX1SA3
Infineon Technologies

SIGC57T120R3LEX1SA3

osa: 6815

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Toivelistaan
IRG6S320UPBF
Infineon Technologies

IRG6S320UPBF

osa: 6759

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A, Teho - maks: 114W,

Toivelistaan
IRG4PC50FD-EPBF
Infineon Technologies

IRG4PC50FD-EPBF

osa: 9344

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 280A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 39A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRG4BC30SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30SPBF

osa: 28428

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 34A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 68A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGP4750DPBF
Infineon Technologies

IRGP4750DPBF

osa: 9318

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Teho - maks: 273W,

Toivelistaan
IRG7PH46UPBF
Infineon Technologies

IRG7PH46UPBF

osa: 6701

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 469W,

Toivelistaan
IXGP20N100
IXYS

IXGP20N100

osa: 6237

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXA20RG1200DHGLB
IXYS

IXA20RG1200DHGLB

osa: 6823

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IXSH24N60AU1
IXYS

IXSH24N60AU1

osa: 6682

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXYL60N450
IXYS

IXYL60N450

osa: 841

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 4500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 680A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 60A, Teho - maks: 417W,

Toivelistaan
IXGK50N120C3H1
IXYS

IXGK50N120C3H1

osa: 4548

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 460W,

Toivelistaan
IXGK50N60A2U1
IXYS

IXGK50N60A2U1

osa: 6696

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A, Teho - maks: 400W,

Toivelistaan
IXGR50N60B
IXYS

IXGR50N60B

osa: 6751

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 50A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGV25N250S
IXYS

IXGV25N250S

osa: 6798

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXGP12N100AU1
IXYS

IXGP12N100AU1

osa: 15892

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGA12N60B
IXYS

IXGA12N60B

osa: 6831

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGA50N60C4
IXYS

IXGA50N60C4

osa: 5704

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGR60N60C2G1
IXYS

IXGR60N60C2G1

osa: 6697

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A,

Toivelistaan
RJH60F7ADPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60F7ADPK-00#T0

osa: 11724

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A, Teho - maks: 328.9W,

Toivelistaan
RJP5001APP-M0#T2
Renesas Electronics America

RJP5001APP-M0#T2

osa: 6804

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 500V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 10V @ 12V, 300A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
RJH60D7DPM-00#T1
Renesas Electronics America

RJH60D7DPM-00#T1

osa: 6743

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 55W,

Toivelistaan
STGD8NC60KT4
STMicroelectronics

STGD8NC60KT4

osa: 6669

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A, Teho - maks: 62W,

Toivelistaan
STGW40NC60KD
STMicroelectronics

STGW40NC60KD

osa: 16524

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
STGD18N40LZ-1
STMicroelectronics

STGD18N40LZ-1

osa: 44134

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 420V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 4.5V, 10A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
HGTP12N60A4
ON Semiconductor

HGTP12N60A4

osa: 6843

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 54A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
FGA50N100BNTTU
ON Semiconductor

FGA50N100BNTTU

osa: 6698

IGBT-tyyppi: NPT and Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
NGTB20N120IHSWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHSWG

osa: 6792

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
TIG062E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG062E8-TL-H

osa: 6719

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 8V @ 3V, 100A,

Toivelistaan
FGA90N33ATTU
ON Semiconductor

FGA90N33ATTU

osa: 6645

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 330A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 223W,

Toivelistaan
FGA20S125P
ON Semiconductor

FGA20S125P

osa: 6799

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1250V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
NGTB30N120IHSWG
ON Semiconductor

NGTB30N120IHSWG

osa: 6800

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Teho - maks: 192W,

Toivelistaan