Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

IXGA12N60BD1
IXYS

IXGA12N60BD1

osa: 6733

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXSP10N60B2D1
IXYS

IXSP10N60B2D1

osa: 6902

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGH12N60BD1
IXYS

IXGH12N60BD1

osa: 5697

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXGC12N60CD1
IXYS

IXGC12N60CD1

osa: 6722

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 85W,

Toivelistaan
IXGH39N60B
IXYS

IXGH39N60B

osa: 6725

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 76A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 152A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 39A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGK55N120A3H1
IXYS

IXGK55N120A3H1

osa: 4173

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 400A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 55A, Teho - maks: 460W,

Toivelistaan
IXGR32N60CD1
IXYS

IXGR32N60CD1

osa: 6734

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 32A, Teho - maks: 140W,

Toivelistaan
IXGT24N60B
IXYS

IXGT24N60B

osa: 8543

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A,

Toivelistaan
NGTB30N120IHLWG
ON Semiconductor

NGTB30N120IHLWG

osa: 6831

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 320A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

Toivelistaan
FGH60N60SMD
ON Semiconductor

FGH60N60SMD

osa: 15970

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A, Teho - maks: 600W,

Toivelistaan
FGH40N60SMDF
ON Semiconductor

FGH40N60SMDF

osa: 15999

IGBT-tyyppi: Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
FGY120T65SPD-F085
ON Semiconductor

FGY120T65SPD-F085

osa: 6853

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 240A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 378A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 120A, Teho - maks: 882W,

Toivelistaan
FGPF10N60UNDF
ON Semiconductor

FGPF10N60UNDF

osa: 34785

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A, Teho - maks: 42W,

Toivelistaan
TIG056BF
ON Semiconductor

TIG056BF

osa: 6804

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 240A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 240A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan
SGF80N60UFTU
ON Semiconductor

SGF80N60UFTU

osa: 15842

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Teho - maks: 110W,

Toivelistaan
SGW13N60UFDTM
ON Semiconductor

SGW13N60UFDTM

osa: 6868

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 52A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A, Teho - maks: 60W,

Toivelistaan
SKB15N60ATMA1
Infineon Technologies

SKB15N60ATMA1

osa: 6856

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 62A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 139W,

Toivelistaan
SGB15N60HSATMA1
Infineon Technologies

SGB15N60HSATMA1

osa: 6720

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 27A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 15A, Teho - maks: 138W,

Toivelistaan
IRG4PC50WPBF
Infineon Technologies

IRG4PC50WPBF

osa: 11938

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 220A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 27A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IRGS4607DTRRPBF
Infineon Technologies

IRGS4607DTRRPBF

osa: 6807

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 11A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 4A, Teho - maks: 58W,

Toivelistaan
IRGB14C40LPBF
Infineon Technologies

IRGB14C40LPBF

osa: 21309

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IKD15N60RFATMA1
Infineon Technologies

IKD15N60RFATMA1

osa: 10762

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRG7PK35UD1PBF
Infineon Technologies

IRG7PK35UD1PBF

osa: 5716

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1400V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 20A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
IRGP4062D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4062D-EPBF

osa: 6789

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 48A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 72A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRGP6660DPBF
Infineon Technologies

IRGP6660DPBF

osa: 6823

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 95A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 144A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 48A, Teho - maks: 330W,

Toivelistaan
IRGP4078D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4078D-EPBF

osa: 5745

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 278W,

Toivelistaan
IRG7PH42UD1MPBF
Infineon Technologies

IRG7PH42UD1MPBF

osa: 5739

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 313W,

Toivelistaan
IRG8P50N120KD-EPBF
Infineon Technologies

IRG8P50N120KD-EPBF

osa: 6842

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Teho - maks: 350W,

Toivelistaan
IRG4BC30KD-SPBF
Infineon Technologies

IRG4BC30KD-SPBF

osa: 19082

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
STGP7NB60KD
STMicroelectronics

STGP7NB60KD

osa: 5746

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 14A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A, Teho - maks: 80W,

Toivelistaan
STGP10NC60KD
STMicroelectronics

STGP10NC60KD

osa: 60583

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 30A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A, Teho - maks: 65W,

Toivelistaan
STGD7NB120S-1
STMicroelectronics

STGD7NB120S-1

osa: 6685

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 10A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A, Teho - maks: 55W,

Toivelistaan
STGB19NC60KT4
STMicroelectronics

STGB19NC60KT4

osa: 47471

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 12A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
RJP4301APP-M0#T2
Renesas Electronics America

RJP4301APP-M0#T2

osa: 6837

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 10V @ 26V, 200A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan
RJH60F5DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH60F5DPK-00#T0

osa: 15172

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Teho - maks: 260.4W,

Toivelistaan
RJH1CF5RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America

RJH1CF5RDPQ-80#T2

osa: 6777

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 192.3W,

Toivelistaan