Transistorit - IGBT - Single

STGF4M65DF2

osa: 79623

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 16A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Teho - maks: 23W,

STGB15M65DF2

osa: 62768

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 136W,

STGW30V60F

osa: 20265

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A, Teho - maks: 260W,

STGP14N60D

osa: 6658

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A, Teho - maks: 95W,

STGW20NB60KD

osa: 6855

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 20A, Teho - maks: 170W,

IRG4PH40KDPBF

osa: 12749

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A, Teho - maks: 160W,

IRGSL4640DPBF

osa: 6859

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 72A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

IRGIB4640DPBF

osa: 6867

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 72A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

IRGIB15B60KD1P

osa: 14917

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 19A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 38A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 52W,

IRG6S320UTRLPBF

osa: 6757

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 330V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A, Teho - maks: 114W,

IHY30N160R2XKSA1

osa: 6799

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Teho - maks: 312W,

IRGS4086PBF

osa: 6757

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.96V @ 15V, 120A, Teho - maks: 160W,

IRG7CH75K10EF-R

osa: 6809

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.53V @ 15V, 20A,

IRGH4607DPBF

osa: 5738

IRG4BC20FD-STRL

osa: 6814

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 64A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 9A, Teho - maks: 60W,

IRGB4086PBF

osa: 6747

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 70A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.96V @ 15V, 120A, Teho - maks: 160W,

IGP03N120H2XKSA1

osa: 6689

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 9.6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 9.9A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A, Teho - maks: 62.5W,

IRGS4610DPBF

osa: 6775

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 18A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A, Teho - maks: 77W,

IRGP30B120KDPBF

osa: 8417

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 60A, Teho - maks: 300W,

IRG8CH10K10F

osa: 6876

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A,

IRGS4620DTRRPBF

osa: 6809

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 36A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 12A, Teho - maks: 140W,

IRG7PH35U-EPBF

osa: 6836

IKW30N65ES5XKSA1

osa: 17064

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 62A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Teho - maks: 188W,

IRGP4690D-EPBF

osa: 6802

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 140A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 225A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 454W,

IKB40N65ES5ATMA1

osa: 8698

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 79A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A, Teho - maks: 230W,

IXGR50N60A2U1

osa: 6673

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 200W,

IXXX100N60C3H1

osa: 4019

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 340A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A, Teho - maks: 695W,

IXGP8N100

osa: 6808

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 32A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 8A, Teho - maks: 54W,

IXA30RG1200DHGLB

osa: 5383

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 43A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Teho - maks: 147W,

IXGA120N30TC

osa: 5697

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A, Teho - maks: 250W,

IXSH30N60C

osa: 6706

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 55A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 110A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 200W,

RJH60D3DPP-M0#T2

osa: 24190

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 35A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 17A, Teho - maks: 40W,

NGTB20N120LWG

osa: 21982

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Teho - maks: 192W,

NGTB25N120SWG

osa: 15347

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 385W,

NGB8207ANT4G

osa: 6774

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 365V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 3.7V, 10A, Teho - maks: 165W,

TIG067SS-TL-2W

osa: 103797

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 4V, 150A, Teho - maks: 1.2W,