Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

FGH75T65SQDT_F155
ON Semiconductor

FGH75T65SQDT_F155

osa: 6887

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
TIG065E8-TL-H
ON Semiconductor

TIG065E8-TL-H

osa: 158546

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 2.5V, 100A,

Toivelistaan
FGH30N6S2
ON Semiconductor

FGH30N6S2

osa: 6818

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 45A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 108A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 167W,

Toivelistaan
NGTB40N120SWG
ON Semiconductor

NGTB40N120SWG

osa: 10512

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 535W,

Toivelistaan
NGTB20N120IHWG
ON Semiconductor

NGTB20N120IHWG

osa: 21619

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 20A, Teho - maks: 341W,

Toivelistaan
IRG4BC30KDSTRLP
Infineon Technologies

IRG4BC30KDSTRLP

osa: 33727

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 28A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 56A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGR2B60KDTRLPBF
Infineon Technologies

IRGR2B60KDTRLPBF

osa: 90989

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6.3A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 8A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 2A, Teho - maks: 35W,

Toivelistaan
IRG4BC30F-STRLP
Infineon Technologies

IRG4BC30F-STRLP

osa: 5697

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 31A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IHY15N120R3XKSA1
Infineon Technologies

IHY15N120R3XKSA1

osa: 6686

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 45A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A, Teho - maks: 254W,

Toivelistaan
IKW40N120H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW40N120H3FKSA1

osa: 6023

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Teho - maks: 483W,

Toivelistaan
IRG7PH46U-EP
Infineon Technologies

IRG7PH46U-EP

osa: 6757

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 130A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 469W,

Toivelistaan
IRGS14C40LPBF
Infineon Technologies

IRGS14C40LPBF

osa: 23797

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 430V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 5V, 14A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
IRG4PH30KPBF
Infineon Technologies

IRG4PH30KPBF

osa: 17419

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IRGS4640DPBF
Infineon Technologies

IRGS4640DPBF

osa: 6861

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 65A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 72A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IRG7PH42UD2-EP
Infineon Technologies

IRG7PH42UD2-EP

osa: 6785

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.02V @ 15V, 30A, Teho - maks: 321W,

Toivelistaan
IRGP4620D-EPBF
Infineon Technologies

IRGP4620D-EPBF

osa: 6764

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 32A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 36A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 12A, Teho - maks: 140W,

Toivelistaan
IRGS10B60KDTRLP
Infineon Technologies

IRGS10B60KDTRLP

osa: 25535

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 22A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 44A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 10A, Teho - maks: 156W,

Toivelistaan
IRG7PG42UD-EPBF
Infineon Technologies

IRG7PG42UD-EPBF

osa: 6889

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 90A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 320W,

Toivelistaan
IRG7PH42UD1-EP
Infineon Technologies

IRG7PH42UD1-EP

osa: 6758

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 85A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 313W,

Toivelistaan
SKB02N60E3266ATMA1
Infineon Technologies

SKB02N60E3266ATMA1

osa: 5755

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A, Teho - maks: 30W,

Toivelistaan
IRG8P08N120KDPBF
Infineon Technologies

IRG8P08N120KDPBF

osa: 6816

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 15A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A, Teho - maks: 89W,

Toivelistaan
IXGT50N90B2D1
IXYS

IXGT50N90B2D1

osa: 8573

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Teho - maks: 400W,

Toivelistaan
IXGA12N100
IXYS

IXGA12N100

osa: 21599

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 12A, Teho - maks: 100W,

Toivelistaan
IXXR110N65B4H1
IXYS

IXXR110N65B4H1

osa: 6356

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 460A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A, Teho - maks: 455W,

Toivelistaan
IXGC12N60C
IXYS

IXGC12N60C

osa: 6698

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 15A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 48A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A, Teho - maks: 85W,

Toivelistaan
IXGX100N170
IXYS

IXGX100N170

osa: 2438

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 170A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 600A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Teho - maks: 830W,

Toivelistaan
IXGP24N60C4D1
IXYS

IXGP24N60C4D1

osa: 6792

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 56A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 130A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A, Teho - maks: 190W,

Toivelistaan
IXGH40N60C
IXYS

IXGH40N60C

osa: 6681

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
IXSH25N120A
IXYS

IXSH25N120A

osa: 6694

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGH40N60B
IXYS

IXGH40N60B

osa: 6741

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
RJP60F5DPM-00#T1
Renesas Electronics America

RJP60F5DPM-00#T1

osa: 6731

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
RJH1BF7RDPQ-80#T2
Renesas Electronics America

RJH1BF7RDPQ-80#T2

osa: 6723

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1100V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A, Teho - maks: 250W,

Toivelistaan
RJP60F0DPM-00#T1
Renesas Electronics America

RJP60F0DPM-00#T1

osa: 17787

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A, Teho - maks: 40W,

Toivelistaan
RJP60F0DPE-00#J3
Renesas Electronics America

RJP60F0DPE-00#J3

osa: 6771

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A, Teho - maks: 122W,

Toivelistaan
STGB10NB37LZ
STMicroelectronics

STGB10NB37LZ

osa: 6794

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 440V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4.5V, 10A, Teho - maks: 125W,

Toivelistaan
STGP4M65DF2
STMicroelectronics

STGP4M65DF2

osa: 59622

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 16A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Teho - maks: 68W,

Toivelistaan