Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - IGBT - Single

FGH60T65SHD-F155
ON Semiconductor

FGH60T65SHD-F155

osa: 4029

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 120A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Teho - maks: 349W,

Toivelistaan
FGD2736G3-F085
ON Semiconductor

FGD2736G3-F085

osa: 336

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 360V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 21A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 4.5V, 10A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
NGTB30N65IHL2WG
ON Semiconductor

NGTB30N65IHL2WG

osa: 22140

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
HGTG40N60A4
ON Semiconductor

HGTG40N60A4

osa: 7030

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Teho - maks: 625W,

Toivelistaan
NGTB45N60S2WG
ON Semiconductor

NGTB45N60S2WG

osa: 22667

IGBT-tyyppi: Trench, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 45A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
FGH75T65SQDNL4
ON Semiconductor

FGH75T65SQDNL4

osa: 2906

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 200A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
SGH40N60UFTU
ON Semiconductor

SGH40N60UFTU

osa: 19790

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
HGTP12N60C3D
ON Semiconductor

HGTP12N60C3D

osa: 30296

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 24A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 96A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Teho - maks: 104W,

Toivelistaan
IKA15N65ET6XKSA2
Infineon Technologies

IKA15N65ET6XKSA2

osa: 3217

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 17A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 57.5A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A, Teho - maks: 45W,

Toivelistaan
IGP40N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IGP40N65H5XKSA1

osa: 24119

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 74A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Teho - maks: 255W,

Toivelistaan
IRG4BC40UPBF
Infineon Technologies

IRG4BC40UPBF

osa: 18466

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IGP20N60H3XKSA1
Infineon Technologies

IGP20N60H3XKSA1

osa: 49077

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Teho - maks: 170W,

Toivelistaan
IGP50N60TXKSA1
Infineon Technologies

IGP50N60TXKSA1

osa: 26759

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Teho - maks: 333W,

Toivelistaan
IKD04N60RATMA1
Infineon Technologies

IKD04N60RATMA1

osa: 151710

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 8A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 12A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Teho - maks: 75W,

Toivelistaan
IXYH40N90C3D1
IXYS

IXYH40N90C3D1

osa: 10221

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 900V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 90A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 180A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 500W,

Toivelistaan
IXBT16N170AHV
IXYS

IXBT16N170AHV

osa: 230

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXYP20N65C3D1M
IXYS

IXYP20N65C3D1M

osa: 22411

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 18A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 50W,

Toivelistaan
IXYP15N65C3
IXYS

IXYP15N65C3

osa: 31334

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 38A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Teho - maks: 200W,

Toivelistaan
IXGT4N250C
IXYS

IXGT4N250C

osa: 2962

IGBT-tyyppi: NPT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 2500V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 13A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 46A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 4A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXGT60N60C3D1
IXYS

IXGT60N60C3D1

osa: 9344

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 300A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 380W,

Toivelistaan
IXGH60N30C3
IXYS

IXGH60N30C3

osa: 17932

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 420A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
IXGX82N120B3
IXYS

IXGX82N120B3

osa: 3898

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 230A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 500A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 82A, Teho - maks: 1250W,

Toivelistaan
IXGH100N30C3
IXYS

IXGH100N30C3

osa: 13042

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 500A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A, Teho - maks: 460W,

Toivelistaan
IXXK200N60B3
IXYS

IXXK200N60B3

osa: 3830

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 380A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 900A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1630W,

Toivelistaan
IXBA16N170AHV
IXYS

IXBA16N170AHV

osa: 155

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1700V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 16A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 40A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A, Teho - maks: 150W,

Toivelistaan
IXYX100N120C3
IXYS

IXYX100N120C3

osa: 4027

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 188A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 490A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A, Teho - maks: 1150W,

Toivelistaan
IXYA20N65C3
IXYS

IXYA20N65C3

osa: 252

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 105A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXXH30N65C4D1
IXYS

IXXH30N65C4D1

osa: 206

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 62A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 136A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 230W,

Toivelistaan
IXGP20N120B3
IXYS

IXGP20N120B3

osa: 17158

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 36A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 80A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A, Teho - maks: 180W,

Toivelistaan
IXGR60N60C3D1
IXYS

IXGR60N60C3D1

osa: 8636

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 600V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 260A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Teho - maks: 170W,

Toivelistaan
IXBT12N300
IXYS

IXBT12N300

osa: 2610

Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 3000V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 12A, Teho - maks: 160W,

Toivelistaan
IXGH40N120A2
IXYS

IXGH40N120A2

osa: 6712

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 75A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 160A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Teho - maks: 360W,

Toivelistaan
IXGT30N120B3D1
IXYS

IXGT30N120B3D1

osa: 10482

IGBT-tyyppi: PT, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 150A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A, Teho - maks: 300W,

Toivelistaan
STGW25H120DF2
STMicroelectronics

STGW25H120DF2

osa: 13693

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 1200V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 100A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A, Teho - maks: 375W,

Toivelistaan
STGYA120M65DF2
STMicroelectronics

STGYA120M65DF2

osa: 6697

IGBT-tyyppi: NPT, Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 160A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 360A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A, Teho - maks: 625W,

Toivelistaan
STGFW30H65FB
STMicroelectronics

STGFW30H65FB

osa: 21478

IGBT-tyyppi: Trench Field Stop, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 650V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 60A, Virta - kerääjä pulssi (Icm): 120A, Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Teho - maks: 58W,

Toivelistaan