Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

C2M1000170J-TR

osa: 12544

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

Toivomuslista

C3M0065090J-TR

osa: 6828

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

C3M0120100K

osa: 8031

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Toivomuslista

C3M0120090J-TR

osa: 10635

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Toivomuslista

C3M0030090K

osa: 2469

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 35A, 15V,

Toivomuslista

C2M0045170P

osa: 2736

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 72A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 50A, 20V,

Toivomuslista

E3M0120090D

osa: 3307

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Toivomuslista

C3M0280090J

osa: 19166

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Toivomuslista

C3M0075120K

osa: 5595

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

C3M0120100J

osa: 3965

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Toivomuslista

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B

osa: 2177

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

Toivomuslista

C2M0025120D

osa: 1093

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

Toivomuslista

C3M0280090J-TR

osa: 19172

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Toivomuslista

C3M0065100J

osa: 2848

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

C2M0080170P

osa: 2196

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 28A, 20V,

Toivomuslista

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

osa: 2236

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 28A (Tj), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

Toivomuslista

C2M0045170D

osa: 866

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 72A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 50A, 20V,

Toivomuslista

C3M0280090D

osa: 20168

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Toivomuslista

C3M0075120J

osa: 5794

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

C3M0065100K

osa: 5808

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

C3M0120090J

osa: 10579

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Toivomuslista

CMF20120D

osa: 976

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

Toivomuslista

CMF10120D

osa: 1120

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

Toivomuslista

C3M0120090D

osa: 10936

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Toivomuslista

C2M0040120D

osa: 2045

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,

Toivomuslista

C2M0160120D

osa: 8382

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 196 mOhm @ 10A, 20V,

Toivomuslista

C3M0065100J-TR

osa: 93

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1000V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

C2M1000170J

osa: 12480

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

Toivomuslista

C3M0075120J-TR

osa: 280

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

E3M0065090D

osa: 9953

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

E3M0280090D

osa: 8442

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Toivomuslista

C3M0065090D

osa: 6981

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

C3M0065090J

osa: 6843

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 900V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Toivomuslista

C2M0280120D

osa: 12900

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 6A, 20V,

Toivomuslista

C2M1000170D

osa: 13276

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,

Toivomuslista

C2M0080120D

osa: 4209

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: SiCFET (Silicon Carbide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 1200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 36A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V,

Toivomuslista

36