Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1200V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 28A (Tj) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 10A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 47.1nC @ 20V |
Vgs (enintään) | +25V, -5V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 928pF @ 800V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 202W (Tj) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | Die |
Pakkaus / kotelo | Die |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |