Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1700V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 13nC @ 20V |
Vgs (enintään) | +25V, -10V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 1000V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 78W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | D2PAK (7-Lead) |
Pakkaus / kotelo | TO-263-7 (Straight Leads) |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |