| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Active |
|---|---|
| FET-tyyppi | N-Channel |
| Teknologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1200V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 51nC @ 15V |
| Vgs (enintään) | +15V, -4V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehohäviö (maks.) | 113.6W (Tc) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajalaitepaketti | TO-263-7 |
| Pakkaus / kotelo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
