Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1200V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 370 mOhm @ 6A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1.25mA (Typ) |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 20.4nC @ 20V |
Vgs (enintään) | +25V, -10V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 259pF @ 1000V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 62.5W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | TO-247-3 |
Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |