Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1000V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 20A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 5mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 35nC @ 15V |
Vgs (enintään) | +19V, -8V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 600V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 113.5W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | TO-247-4L |
Pakkaus / kotelo | TO-247-4 |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |