Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

osa: 141424

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 340mV @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

osa: 175222

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 230mV @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

osa: 21594

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 10V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10mA (DC), Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

osa: 122854

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

osa: 159042

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

osa: 172576

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 400mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

osa: 158502

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1000V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2.7V @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

osa: 114342

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 340mV @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

osa: 155708

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

osa: 159752

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

osa: 139868

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 350mV @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

osa: 11358

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

osa: 144392

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

osa: 184133

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 370mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

osa: 139204

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 460mV @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

osa: 121678

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

osa: 183971

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 360mV @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

osa: 104302

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 360mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

osa: 164330

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 370mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

osa: 112076

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

osa: 193256

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 220mV @ 10mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

osa: 8420

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS10F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

osa: 4875

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 670mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

osa: 181235

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 280mV @ 10mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS05F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

osa: 4923

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

osa: 151245

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CTS05F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

osa: 8357

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 810mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista