Diodit - RF | Erilliset puolijohdetuotteet | 1

1SV308,L3F

osa: 151

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SV308(TH3,F)

osa: 6994

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SV307(TPH3,F)

osa: 101204

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS315TPH3F

osa: 154649

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 5V, Virta - Max: 30mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS381,L3F

osa: 139396

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 100mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.2pF @ 6V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 900 mOhm @ 2mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S02ACT(TPL3)

osa: 80

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S12CR(TE85L,Q

osa: 6892

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 180V, Virta - Max: 1A, Kapasitanssi @ Vr, F: 1.3pF @ 40V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 700 mOhm @ 10mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02FSTPL3

osa: 199251

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 10V, Virta - Max: 10mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.3pF @ 0.2V, 1MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP4P02AT(TE85L)

osa: 6881

Diodityyppi: PIN - 2 Independent, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S01FSTPL3

osa: 134503

Diodityyppi: Schottky - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 4V, Virta - Max: 25mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S10FS(TPL3)

osa: 128

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 10V, Kapasitanssi @ Vr, F: 3.4pF @ 2.5V, 1MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S09FSTPL3

osa: 108

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 10V, Kapasitanssi @ Vr, F: 11.1pF @ 1V, 1MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S41FS(TPL3)

osa: 21538

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 15V, Kapasitanssi @ Vr, F: 16pF @ 2V, 1MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDV2S07FSTPL3

osa: 21519

Diodityyppi: Standard - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 10V, Kapasitanssi @ Vr, F: 4.9pF @ 1V, 1MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S02AFS(TPL3)

osa: 198449

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDP2S08SC(TPL3)

osa: 159289

Diodityyppi: PIN - Single, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 30V, Virta - Max: 50mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz, Vastus @ Jos, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH3D01STE85LF

osa: 6728

Diodityyppi: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 4V, Virta - Max: 25mA, Kapasitanssi @ Vr, F: 0.6pF @ 0.2V, 1MHz,

Toivomuslista