Diodit - Tasasuuntaajat - Single

Koti
Diodit - Tasasuuntaajat - Single

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

osa: 117530

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 1.6ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

osa: 116

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

osa: 131

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

osa: 111

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

1SS307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

osa: 161

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

osa: 176168

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

osa: 156192

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

osa: 201

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

1SS401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

osa: 122602

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 300mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

osa: 2303

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

osa: 1533

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

osa: 154898

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 10V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

osa: 152629

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 500ns,

Toivomuslista

1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

osa: 136052

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

osa: 175794

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 60ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

osa: 1558

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 60ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

osa: 146552

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.3V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

osa: 180671

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

osa: 113319

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

osa: 108515

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

osa: 21577

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 620mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

osa: 106441

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 50mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

osa: 119305

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 10V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 100mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

osa: 129010

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 10V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

osa: 138564

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 1.6ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

osa: 174948

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 300mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 300mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

osa: 106991

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

osa: 126326

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 80V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 4ns,

Toivomuslista

1SS250(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

osa: 172900

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.2V @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Käänteinen palautumisaika (trr): 60ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

osa: 154455

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 100mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 100mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

osa: 8357

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

osa: 8339

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

osa: 8339

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 250mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.25V @ 150mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 3ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

osa: 6216

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

osa: 176414

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

osa: 162705

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista

207

«
1
2
3
4
5
6
»