Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Zener - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Zener - Single
CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

osa: 99

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 13V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

osa: 140

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 20V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 14V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

osa: 137

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 36V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 28.8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

osa: 176

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.2V, Toleranssi: ±9.68%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

osa: 141

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 16V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 11V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

osa: 172

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

osa: 86

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 24V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 17V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

osa: 127

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 16V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

osa: 153

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

osa: 98

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

osa: 114

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 27V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 19V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

osa: 118

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

osa: 89

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

osa: 142

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 65 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 37.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

osa: 173943

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 15V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 10V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

osa: 170

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 43V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 40 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 34.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

osa: 150

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 39V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 35 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 31.2V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

osa: 8202

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 10V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

osa: 3906

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 22V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 16V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

osa: 8171

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 47V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 65 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 37.6V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

osa: 8174

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 30V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 21V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

osa: 5464

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 33V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 26.4V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

osa: 8245

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 12V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 8V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

osa: 8173

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 11V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 7V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

osa: 152718

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 6.8V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 60 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 3V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

osa: 127852

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 8.2V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 4.9V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

osa: 138193

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 7.5V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 4.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

osa: 5349

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 9.1V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 5.5V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista
CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

osa: 5364

Jännite - Zener (nim.) (Vz): 18V, Toleranssi: ±10%, Teho - maks: 700mW, Impedanssi (maks.) (Zzt): 30 Ohms, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 13V, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 200mA,

Toivomuslista