Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

osa: 144

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 13dB, Teho - maks: 150mW,

Toivomuslista
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

osa: 170

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 150mW,

Toivomuslista
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

osa: 171976

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 550MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Saada: 17dB ~ 23dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

osa: 111075

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

osa: 128600

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11dB ~ 16.5dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

osa: 121034

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

osa: 190

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

osa: 170

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

osa: 187

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Saada: 13dB ~ 7dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

osa: 173074

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

osa: 128

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Saada: 13dB ~ 7.5dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

osa: 124837

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 550MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Saada: 17dB ~ 23dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

osa: 152602

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 150mW,

Toivomuslista
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

osa: 162523

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivomuslista
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

osa: 133840

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

osa: 132303

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 550MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Saada: 23dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

osa: 156257

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Teho - maks: 150mW,

Toivomuslista
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

osa: 190913

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 12dB ~ 17dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

osa: 167393

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 550MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2.5dB @ 100MHz, Saada: 23dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

osa: 7295

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1dB @ 500MHz, Saada: 18dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

osa: 4783

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 6GHz, Saada: 11dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

osa: 7101

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 550MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Saada: 17dB ~ 23dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

osa: 7064

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 10V, Taajuus - Siirtyminen: 10GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Saada: 1.4dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

osa: 160292

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Taajuus - Siirtyminen: 550MHz, Meluluku (dB Typ @ f): 5dB @ 100MHz, Saada: 23dB, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

osa: 91

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 11.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Saada: 12dB, Teho - maks: 700mW,

Toivomuslista
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

osa: 18982

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 6V, Taajuus - Siirtyminen: 8GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz, Saada: 10.5dB, Teho - maks: 1W,

Toivomuslista
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

osa: 4314

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5.3V, Taajuus - Siirtyminen: 7.7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Saada: 10.5dB, Teho - maks: 1.6W,

Toivomuslista
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

osa: 9921

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5.3V, Taajuus - Siirtyminen: 12.5GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Saada: 11.8dB, Teho - maks: 800mW,

Toivomuslista
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

osa: 4313

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Saada: 16.5dB, Teho - maks: 1.8W,

Toivomuslista
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

osa: 135

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Saada: 12dB, Teho - maks: 900mW,

Toivomuslista
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

osa: 9992

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5.3V, Taajuus - Siirtyminen: 11.2GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz, Saada: 12.5dB, Teho - maks: 900mW,

Toivomuslista
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

osa: 176440

Transistorin tyyppi: NPN, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 5V, Taajuus - Siirtyminen: 4GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz, Saada: 4.5dBi, Teho - maks: 100mW,

Toivomuslista
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

osa: 7065

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Taajuus - Siirtyminen: 7GHz, Meluluku (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Saada: 11.5dB, Teho - maks: 200mW,

Toivomuslista