Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - Tasasuuntaajat - Single

  • Koti
  •  
  • Diodit - Tasasuuntaajat - Single
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS17(TE12L,Q,M)

osa: 117

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 480mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

osa: 100

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

osa: 88

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 800V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 3V @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

osa: 166057

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

osa: 177271

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

osa: 79

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 400mV @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

osa: 163

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

osa: 194437

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

osa: 185173

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

osa: 157727

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 700mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 2V @ 700mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

osa: 160805

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

osa: 142

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 360mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

osa: 160837

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

osa: 187277

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

osa: 192

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

osa: 104522

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

osa: 152

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

osa: 178640

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 600mV @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

osa: 160204

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 200mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 500mV @ 200mA, Nopeus: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Toivomuslista
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

osa: 5730

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 12A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

Toivomuslista
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

osa: 236

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 450mV @ 700mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS14(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

osa: 113027

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 580mV @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

osa: 200

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 390mV @ 700mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS16(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

osa: 182845

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

osa: 177

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

osa: 158

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1.5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 460mV @ 1.5A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

osa: 162

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

osa: 175

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 700mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 520mV @ 700mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

osa: 154

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 20V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 370mV @ 700mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

osa: 159

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 500mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 500mA, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

osa: 168712

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 980mV @ 1A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

osa: 153282

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 2A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 35ns,

Toivomuslista
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

osa: 171

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 1A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

osa: 187

Diodityyppi: Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 30V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 490mV @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

osa: 184

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 3A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 3A, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 100ns,

Toivomuslista
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

osa: 172

Diodityyppi: Standard, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nopeus: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Toivomuslista