Muisti

MT41K512M8V00HWC1-N002

osa: 7972

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

osa: 6316

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT25QL02GCBB8E12-0AAT

osa: 104

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT29F32G08ABEDBJ4-12:D

osa: 7481

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT47H32M16NF-25E AUT:H

osa: 9534

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

EDW4032BABG-50-F-D

osa: 7761

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 1.25GHz,

MT53D8DAHR-DC

osa: 4614

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT41K256M8DA-107 IT:K

osa: 3568

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kellotaajuus: 933MHz,

MT41K256M16LY-093:N

osa: 8056

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT29F256G08CECCBH6-6R:C

osa: 8963

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT53B1DBDS-DC TR

osa: 6274

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR

osa: 6603

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT40A1G8SA-062E IT:E

osa: 112

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kellotaajuus: 1.6GHz,

MT53B256M64D2NK-053 WT:C

osa: 9687

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT46H1DAMA-DC

osa: 4250

MTA8ATF51264AZ-2G6B1

osa: 7842

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1333MHz,

MT51K128M32HF-60 N:B

osa: 96

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 1.5GHz,

MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR

osa: 5818

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 8Gb (8G x 1),

MT29F1T08CUCBBH8-6R:B

osa: 8895

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT29F1G16ABBEAM68M3WC2

osa: 7263

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Gb (64M x 16),

MT29F1G08ABBDAM68A3WC1

osa: 7202

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Gb (128M x 8),

MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6

osa: 4485

MT53B384M64D4NK-062 XT:B

osa: 4612

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT25QL128ABA8E14-0SIT

osa: 8554

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

N25Q064A13ESE40R01 TR

osa: 8564

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (16M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M

osa: 6552

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

N25Q032A11ESE40F TR

osa: 54726

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (8M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT28EW01GABA1LPC-1SIT

osa: 13069

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

N25QH32A13EV7A0

osa: 8092

MTFC8GACAAAM-4M IT

osa: 5344

M25P40-VMP6TGBX0 TR

osa: 5083

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 75MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ms, 5ms,

MT40A512M16JY-075E AIT:B TR

osa: 2887

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 1.33GHz,

PC28F256P33T2E

osa: 628

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 52MHz,

MT28EW256ABA1LPC-1SIT

osa: 19905

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR

osa: 6859

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT29F8G16ABBCAH4:C TR

osa: 9661

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 8Gb (512M x 16),