Muisti

28032116

osa: 9819

28153735

osa: 8181

BK58F0095HVX010A

osa: 2305

BK58F0088HVX001A

osa: 2274

BK58F0094HVX000A

osa: 2264

MT47H16M16BG-3 IT:B TR

osa: 523

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT29E6T08ETHBBM5-3:B

osa: 132

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 6Tb (768G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

osa: 723

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

osa: 120

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Gb (2G x 1),

MT46V64M8BN-6 IT:F TR

osa: 570

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H256M4B7-37E:A

osa: 9134

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (256M x 4), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

osa: 823

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

osa: 60

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Tb (512G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

osa: 805

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H64M8B6-25:D TR

osa: 637

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H128M8B7-37E:A TR

osa: 9361

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H128M8B7-5E L:A TR

osa: 9254

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT45W8MW16BGX-701 WT TR

osa: 504

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TR

osa: 3978

MT47H32M16BN-25E:D TR

osa: 680

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H256M4B7-5E:A

osa: 9141

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (256M x 4), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

osa: 671

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H128M8B7-5E:A

osa: 9254

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC8M16A2F4-75:G TR

osa: 5083

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H64M16B7-5E:A

osa: 9415

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 200MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H32M16BN-25:D TR

osa: 668

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

osa: 179

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Tb (512G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

osa: 734

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46H8M32LFB5-75:A TR

osa: 495

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC4M16A2F4-75:G TR

osa: 790

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

osa: 813

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 333MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

osa: 843

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

MT47H32M16BN-37E:D TR

osa: 579

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V64M8BN-6 L:F TR

osa: 541

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT47H128M8B7-37E:A

osa: 9244

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 267MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

M29F010B70K6F TR

osa: 9590

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,