Muisti

MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C

osa: 1908

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT40A4G4NRE-075E:B

osa: 9422

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 16Gb (4G x 4), Kellotaajuus: 1.33GHz,

MTFC16GAKAEJP-5M AIT TR

osa: 1007

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT44K32M36RB-083F:A TR

osa: 6178

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (32Mb x 36), Kellotaajuus: 1200MHz,

MTFC128GAOANEA-WT TR

osa: 7150

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8),

MT25QL128ABA8ESF-0AAT

osa: 8623

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR

osa: 6718

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

osa: 122

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29F16G08CBACAWP-IT:C TR

osa: 7369

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 16Gb (2G x 8),

MT29F4G08ABADAWP-E:D TR

osa: 7400

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

EDFA164A2PP-GD-F-R

osa: 1070

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 800MHz,

MT53D512M64D4NW-062 WT:D

osa: 4736

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8

osa: 5242

MT53D1024M32D4NQ-046 WT:D TR

osa: 6616

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT40A256M16GE-075E AUT:B

osa: 3820

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 1.33GHz,

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F

osa: 3352

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (4G x 1),

MTFC64GAPAKEA-WT

osa: 4497

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT53B512M64D4NW-062 WT:C

osa: 9789

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

osa: 9201

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, RAM, Teknologia: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Muistin koko: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2), Kellotaajuus: 533MHz,

MT40A1G8WE-075E AIT:B

osa: 67

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kellotaajuus: 1.33GHz,

MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR

osa: 6574

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 64Gb (1G x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53B2DBNP-DC TR

osa: 6323

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV

osa: 7291

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AAT:D

osa: 4820

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT38M5041A3034EZZI.XR6

osa: 9255

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, RAM, Teknologia: FLASH, PSRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), 128M (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,

EMB8132B4PM-DV-F-D

osa: 4097

MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A TR

osa: 5481

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT29VZZZ7D7DQKWL-062 W.97Y

osa: 4834

MT53B4DBNQ-DC

osa: 9766

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR

osa: 107

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

osa: 8636

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, RAM, Teknologia: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Muistin koko: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D

osa: 86

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kellotaajuus: 166MHz,

MT51K256M32HF-50 N:A

osa: 9625

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1.25GHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR

osa: 5526

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT29F1G01ABAFDSF-IT:F

osa: 3369

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Gb (1G x 1),

MTFC16GAPALBH-AAT

osa: 81

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),