Muisti

MT53B256M64D2NV MS

osa: 9726

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64),

MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR

osa: 6222

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

osa: 117

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT28FW02GBBA1LPC-0AAT TR

osa: 79

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F

osa: 3741

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (4G x 1),

MT40A512M16HA-083E IT:A

osa: 8131

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96R

osa: 9193

MT28FW02GBBA1LPC-0AAT

osa: 50

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

EDF8164A3PK-JD-F-R

osa: 8047

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (128M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT53B256M32D1PX-062 XT:C

osa: 84

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT40A1G8PM-083E:A TR

osa: 5963

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT53B512M64D8HR-053 WT:B

osa: 4548

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MTFC16GAKAEJP-5M AIT

osa: 989

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

osa: 110

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53D8DATZ-DC TR

osa: 1775

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR

osa: 7077

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT40A512M16Z01AWC1

osa: 46

MTFC64GAJAEDN-AAT TR

osa: 7138

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT53D384M32D2DS-046 AUT:C

osa: 4938

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53D512M32D2NP-053 WT:D

osa: 4500

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT41K256M8V89CWC1

osa: 7981

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 2Gb (256M x 8),

MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B

osa: 8905

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1.5Tb (192G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT53B384M64D4NK-062 XT:B TR

osa: 6418

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 TR

osa: 5814

MT53B512M64D4NZ-062 WT:D

osa: 4621

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR

osa: 5590

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (4G x 1),

MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7

osa: 4682

MT29F1G08ABADAWP-E:D TR

osa: 7309

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Gb (128M x 8),

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C

osa: 1507

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T

osa: 4040

MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D TR

osa: 3267

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kellotaajuus: 166MHz,

MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR

osa: 6871

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C

osa: 39

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT40A1G8WE-083E AAT:B TR

osa: 3140

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT53B512M64D4NW-062 WT:D

osa: 4657

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MTFC64GAPAKEA-WT TR

osa: 7173

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),