Muisti

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

osa: 1667

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29F8G01ADBFD12-AATES:F TR

osa: 5766

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 8Gb (8G x 1),

MT53B768M32D4NQ-062 AIT:B

osa: 9832

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (768M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G

osa: 5300

MT44K32M36RB-083F:A

osa: 4998

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 1.125Gb (32Mb x 36), Kellotaajuus: 1200MHz,

MT40A512M8RH-062E:B

osa: 9397

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 1.6GHz,

MT41K256M16TW-093 IT:P

osa: 8090

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT

osa: 8809

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, RAM, Teknologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Muistin koko: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM), Kellotaajuus: 208MHz,

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR

osa: 6370

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C

osa: 9698

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (1G x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29GZ5A5BPGGA-53IT.87J

osa: 3124

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, RAM, Teknologia: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4, Muistin koko: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT41K64M16V88AWC1

osa: 1857

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

MT40A256M16GE-083E AUT:B

osa: 107

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT40A1G8SA-075:H

osa: 2638

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kellotaajuus: 1.33GHz,

MT29F4G01ABBFD12-ITES:F

osa: 3527

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (4G x 1),

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

osa: 7929

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1333MHz,

MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR

osa: 5592

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT53B768M64D8NK-053 WT:D

osa: 5117

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 48Gb (768M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT29F64G08CBCGBSX-37B:G

osa: 1411

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F

osa: 3849

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

MT52L256M32D1PF-093 WT:B

osa: 103

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT29F128G08CBECBL95B3WC1

osa: 131

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR

osa: 5740

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (256M x 16),

MT40A512M8RH-083E AUT:B TR

osa: 5986

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MTFC32GAKAEEF-O1 AIT

osa: 4378

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

EDFA164A2PP-GD-F-D

osa: 9222

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 800MHz,

MT53D512M32D2DS-046 AIT:D

osa: 5014

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C

osa: 4445

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53D8DATZ-DC

osa: 4663

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR

osa: 6464

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

osa: 6269

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 4Gb (128M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53B2DADS-DC TR

osa: 6338

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT41K256M16TW-125:P

osa: 7680

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR

osa: 7011

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT53B256M32D1TG-062 XT:C

osa: 57

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR

osa: 1618

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),