Muisti

MTFC16GJDEC-H1 WT

osa: 1049

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C

osa: 1895

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT42L64M32D1LF-18 IT:C

osa: 6646

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 2Gb (64M x 32), Kellotaajuus: 533MHz,

N25Q064A13ESFD0F TR

osa: 8658

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (16M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT29F768G08EECBBJ4-37:B

osa: 1115

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 768Gb (96G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C

osa: 3018

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Tb (256G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

EDFP112A3PB-JD-F-R TR

osa: 6329

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 24Gb (192M x 128), Kellotaajuus: 933MHz,

MT42L384M32D3LP-18 WT:A

osa: 3272

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 12Gb (384M x 32), Kellotaajuus: 533MHz,

MT25QL128ABA8E12-0SIT

osa: 28011

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT TR

osa: 5139

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,

MT52L256M32D1PF-107 WT:B

osa: 97

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F4G08ABADAM60A3WC1

osa: 1502

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8),

M25PX80-VMN6TP00

osa: 8950

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 75MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ms, 5ms,

MTFC8GAKAJCN-4M IT

osa: 5972

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

N25Q128A11ESECFF TR

osa: 9907

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT29F256G08EECBBJ4-6:B

osa: 6584

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

MT25QL128ABA8E12-1SIT

osa: 27966

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

N25Q128A31EF740F TR

osa: 8715

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT28EW512ABA1HPC-0SIT

osa: 15257

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

EDFP112A3PB-GD-F-D

osa: 6370

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 24Gb (192M x 128), Kellotaajuus: 800MHz,

N25Q128A13ESED0F TR

osa: 8672

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

EDF620AAABH-GD-F-D

osa: 9706

MT25TL256HAA1ESF-0AAT

osa: 6977

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 2.8ms,

MT41K64M16TW-107 XIT:J

osa: 12768

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F384G08EBCBBJ4-37:B

osa: 2258

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 384Gb (48G x 8), Kellotaajuus: 267MHz,

JS28F256P33T2E

osa: 17442

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 40MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 105ns,

N25Q512A83GSFA0F TR

osa: 7935

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (128M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

MT47H128M8SH-187E:M TR

osa: 4921

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR2, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 533MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT28GU256AAA1EGC-0SIT

osa: 11010

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

MT29F256G08APEDBJ6-12:D

osa: 3037

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT29F1T08CUCCBH8-6R:C

osa: 528

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 167MHz,

N25Q128A13EF840F TR

osa: 34523

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,

M25PX80-VMP6TGAD TR

osa: 5100

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kellotaajuus: 75MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ms, 5ms,

MT28EW256ABA1HJS-0SIT

osa: 18981

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

MTFC4GMDEA-R1 IT

osa: 1071

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8),

N25Q128A13ESE40F TR

osa: 32286

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (32M x 4), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms, 5ms,