Muisti

MTFC32GAKAENA-4M IT TR

osa: 4886

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR

osa: 35

M58LT128HST8ZA6F TR

osa: 2608

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 52MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 85ns,

MT53B512M32D2NP-062 AIT:C

osa: 66

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR

osa: 69

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT29E768G08EEHBBJ4-3:B

osa: 51

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 768Gb (96G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT53D512M32D2DS-053 WT:D

osa: 39

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

osa: 2227

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 288Mb (16M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR

osa: 117

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT52L256M64D2FT-107 WT:B

osa: 28

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B TR

osa: 44

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (768M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR

osa: 94

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT49H16M36SJ-25E:B

osa: 1561

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 400MHz,

MTFC32GAPALBH-AAT TR

osa: 107

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GJWDQ-4L AIT Z

osa: 8056

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MT44K32M18RB-107E:B

osa: 112

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 933MHz,

MTFC64GAOAMEA-WT

osa: 81

MT44K16M36RB-093F:B TR

osa: 1224

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A

osa: 2556

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT48LC8M32B2B5-7 TR

osa: 2317

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 143MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 14ns,

MT53B512M32D2NP-053 WT:C

osa: 88

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT45W4MW16BFB-706 WT F

osa: 2364

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: PSRAM, Teknologia: PSRAM (Pseudo SRAM), Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR

osa: 132

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29F256G08CBCBBL06B3WC1

osa: 2146

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

osa: 73

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT51K256M32HF-60 N:B

osa: 34

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1.5GHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT:B

osa: 120

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 24Gb (768M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR

osa: 61

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53B256M64D2NL-062 XT:C

osa: 2531

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT:B

osa: 63

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53B512M32D2DS-062 AAT:C

osa: 85

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53E512M32D2NP-046 WT:E

osa: 107

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITRES:E

osa: 7307

MT53D256M64D4NY-046 XT:B

osa: 99

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,

MT40A2G8NRE-083E:B

osa: 42

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 16Gb (2G x 8), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR

osa: 1487

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),