Muisti

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR

osa: 94

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MTFC32GAKAEEF-AAT

osa: 68

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MT44K32M18RB-107E:B TR

osa: 1686

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 933MHz,

MTA4ATF51264AZ-2G6E1

osa: 47

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1333MHz,

MT53B512M32D2DS-062 AIT:C

osa: 64

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR

osa: 1304

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT53B768M32D4NQ-062 WT:B

osa: 105

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (768M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR

osa: 62

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 166MHz,

MT49H32M18CSJ-18:B

osa: 1248

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 533MHz,

MTFC64GAPALBH-AIT TR

osa: 118

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B

osa: 120

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 768Gb (96G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT53B1G32D4NQ-062 WT:D TR

osa: 2782

MT51K256M32HF-60 N:B TR

osa: 100

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1.5GHz,

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR

osa: 1238

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT53B256M64D2TP-062 L XT:C

osa: 2762

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AAT:D

osa: 75

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT49H32M18SJ-25:B

osa: 1725

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D

osa: 125

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR

osa: 129

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT44K16M36RB-093E:B

osa: 135

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1

osa: 2088

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 384Gb (48G x 8),

MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR

osa: 1771

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 166MHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

osa: 1740

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 24Gb (768M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

MT49H32M18CSJ-18:B TR

osa: 1212

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 533MHz,

MT44K32M18RB-093E:B

osa: 92

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR

osa: 1351

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT49H16M36SJ-25:B TR

osa: 1719

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 400MHz,

MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A TR

osa: 1263

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR

osa: 2108

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT49H16M36SJ-25E:B TR

osa: 1614

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 400MHz,

MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR

osa: 130

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT52L512M32D2PF-093 WT:B

osa: 81

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR

osa: 1079

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 768Gb (96G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A

osa: 46

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A

osa: 115

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT40A1G16WBU-083E:B TR

osa: 1300

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 16Gb (1G x 16), Kellotaajuus: 1.2GHz,