Muisti

MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR

osa: 1319

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 133MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V64M8TG-6T:F TR

osa: 8887

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR

osa: 121

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B

osa: 65

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Tb (128G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT46V16M16P-6T L:F

osa: 6831

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT53D768M64D8SQ-053 WT:E TR

osa: 92

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 48Gb (768M x 64), Kellotaajuus: 1866MHz,

MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B TR

osa: 496

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1.5Tb (192G x 8),

MT46V32M16FN-6:F

osa: 7179

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT46V64M16P-6T:A TR

osa: 7893

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

EDFP164A3PB-JD-F-R TR

osa: 1679

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 24Gb (384M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

EDB2432BCPA-8D-F-D

osa: 2731

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 2Gb (64M x 32), Kellotaajuus: 400MHz,

MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR

osa: 9353

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

MT44K16M36RB-107E:B

osa: 106

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 933MHz,

MTFC32GJGDQ-AIT Z TR

osa: 1397

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR

osa: 1482

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT53D512M32D2DS-046 AAT:D

osa: 110

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 2133MHz,

MTFC32GJWEF-4M AIT Z

osa: 8158

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MT44K16M36RB-107E:B TR

osa: 1650

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29E512G08CEHBBJ4-3:B

osa: 125

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MTA4ATF51264HZ-2G6E1

osa: 38

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 32Gb (512M x 64), Kellotaajuus: 1333MHz,

MT53B768M32D4DT-062 AIT:B

osa: 108

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 24Gb (768M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT49H32M18SJ-25E:B

osa: 1558

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

MT46V64M8BN-6:F TR

osa: 2377

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 167MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

MT53B256M64D2PX-062 XT:C

osa: 44

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT52L256M64D2FT-107 WT:B TR

osa: 92

MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR

osa: 1278

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 64Gb (8G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT29F16G08AJADAWP-IT:D TR

osa: 87

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 16Gb (2G x 8),

MT53B256M64D2TG-062 XT:C

osa: 52

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT49H32M18SJ-25:B TR

osa: 1679

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

MT49H32M18SJ-25E:B TR

osa: 1539

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (32M x 18), Kellotaajuus: 400MHz,

MT40A4G4NRE-083E:B TR

osa: 906

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 16Gb (4G x 4), Kellotaajuus: 1.2GHz,

MT44K16M36RB-093E IT:B

osa: 74

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: DRAM, Muistin koko: 576Mb (16M x 36), Kellotaajuus: 1067MHz,

MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR

osa: 82

MTFC32GAKAEDQ-AAT

osa: 89

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),

MTFC64GAPALBH-AAT

osa: 89

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 512Gb (64G x 8),

MT53D256M64D4KA-046 XT:B

osa: 102

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 2133MHz,