Muisti

EDBA164B2PR-1D-F-D

osa: 3165

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 533MHz,

MT29F4T08CTHBBM5-3C:B

osa: 5136

MTFC16GAKAEEF-AAT TR

osa: 55

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT29F2T08CQHBBG2-3R:B TR

osa: 1064

MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR

osa: 2158

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 384Gb (48G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT29F64G08CBEFBL94C3WC1

osa: 1614

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (MLC), Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT51K256M32HF-60:A

osa: 1275

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 1.5GHz,

MTFC16GJGDQ-AIT Z TR

osa: 2680

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

NAND32GW3F2DDI6P TR

osa: 1077

MT40A256M16GE-062E:B TR

osa: 1568

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 1.6GHz,

MT29F512G08CFCBBWP-10:B

osa: 1020

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (MLC), Muistin koko: 512Gb (64G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT52L256M64D2PP-107 WT:B

osa: 115

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT52L512M32D2PF-107 WT:B

osa: 73

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

MTFC16GLWDM-4M AIT Z TR

osa: 2766

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MTFC16GJGDQ-AIT Z

osa: 86

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 128Gb (16G x 8),

MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR

osa: 2588

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR

osa: 2466

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 933MHz,

MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR

osa: 2466

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F64G08CBEFBWPR:F

osa: 1560

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (MLC), Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT40A4G4HPR-075H:G

osa: 1398

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 16Gb (4G x 4), Kellotaajuus: 1.333GHz,

MT58K256M321JA-100:A

osa: 9539

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SGRAM - GDDR5, Muistin koko: 8Gb (256M x 32), Kellotaajuus: 5GHz,

MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR

osa: 4276

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 200MHz,

MT29F256G08CJABBWP-12IT:B

osa: 2342

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 83MHz,

MT52L256M64D2QB-125 XT:B

osa: 2931

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR3, Muistin koko: 16Gb (256M x 64), Kellotaajuus: 800MHz,

MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-R

osa: 1611

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND (MLC), Muistin koko: 64Gb (8G x 8),

MT41K2G4RKB-107:N

osa: 43

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 8Gb (2G x 4), Kellotaajuus: 933MHz,

MT41K512M16HA-125:A TR

osa: 1785

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 800MHz,

MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR

osa: 2542

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 32Gb (4G x 8),

NAND32GW3F2DDI6P

osa: 1173

MT53B512M32D2NP-062 WT:C

osa: 68

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR4, Muistin koko: 16Gb (512M x 32), Kellotaajuus: 1600MHz,

MT41K256M16TW-107 AT:P TR

osa: 1397

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F16G08ABABAWP-AIT:B

osa: 95

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 16Gb (2G x 8),

MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B

osa: 45

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 384Gb (48G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MT41K512M16HA-107:A TR

osa: 1266

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3L, Muistin koko: 8Gb (512M x 16), Kellotaajuus: 933MHz,

MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TR

osa: 2497

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8), Kellotaajuus: 333MHz,

MTFC32GAPALBH-AIT

osa: 113

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 256Gb (32G x 8),